摘要：在大功率电源电路设计中，并联均流是趋势，下面总结常见器件均流的影响因素和特点。 一、影响因素 二、器件特性 2.1 GaN 器件 转移特性和静态参数均能是正温度系数，能实现均流。 2.2 Mosfet 器件 转移特性在Vgs较小的时候是负温度系数，Vgs较大的时候是正温度系数，静态参数是正温度系数， 阅读全文
Ansys twin builder circuit simulation
2025-12-16 16:03 by 斑鸠，一生。, 9 阅读, 0 推荐, 收藏,
摘要：twin builder 仿真变压器的时候，同一个变压器任何绕组之间的耦合系数都需要设置，如有遗漏，将会出现仿真数据跑飞的现象。 增加耦合系数M35，M78.仿真结果如下： 阅读全文
Ancora GaN driver circuit
2025-12-05 17:41 by 斑鸠，一生。, 10 阅读, 1 推荐, 收藏,
摘要：1. Ancora GaN driving character 2. Driving circuit 阅读全文
Infineon GaN Driving Circuit
2025-12-04 18:06 by 斑鸠，一生。, 39 阅读, 0 推荐, 收藏,
摘要：1、Infineon GaN introduction 2、RC interface analysis 目前，GaN 器件作为开关器件，dV/dt可以做到>=200V/ns,然而Si器件的dV/dt,一般在45V/ns以下。过高的dV/dt对驱动芯片的CMTI要求很高，在驱动芯片选型的时候，需要特别 阅读全文
GaN 器件第三象限导通特性
2025-11-16 14:35 by 斑鸠，一生。, 40 阅读, 0 推荐, 收藏,
摘要：一、原理 The condition to turn on the channel for reverse conduction is the gate to drain voltage Vgd is higher than the threshold voltage (VGS(th)). Vgd 阅读全文
Ancora GaN 基础知识
2025-11-14 17:29 by 斑鸠，一生。, 19 阅读, 0 推荐, 收藏,
摘要：需要特别注意与MosFET 不同的是，GaN 虽然没有反向二极管，但是能反向导通，而且导通压降与Vgs（off）和Id 值有关。 阅读全文
金属包边（板边镀铜）工艺在模块电源中的应用
2025-11-11 16:23 by 斑鸠，一生。, 22 阅读, 0 推荐, 收藏,
摘要：一、特点 二、过孔连接与金属包边连接对比 三、应用实例 下图的应用使用金属包边工艺连接各层PCB，并作为连接器的Pin脚插入到母板电路上。 同时，在Pin 脚上打了3个过孔，进一步增加各层的接触面积，降低电流密度和接触阻抗。 阅读全文
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