半导体器件并联均流设计

　　在大功率电源电路设计中，并联均流是趋势，下面总结常见器件均流的影响因素和特点。

一、影响因素

二、器件特性

　　2.1 GaN 器件

 　　　　　　转移特性和静态参数均能是正温度系数，能实现均流。

　　2.2 Mosfet 器件

　　　　　　转移特性在Vgs较小的时候是负温度系数，Vgs较大的时候是正温度系数，静态参数是正温度系数，由于弥勒平台电压较大，可以实现并联。

 

　　2.3 IGBT器件

　　　　　　转移特性在Vgs较小的时候是负温度系数，Vgs较大的时候是正温度系数，静态参数是正温度系数。并联使用时，Vgs电压不宜太低。

 

　　2.4 SiC器件

 　　　　　　转移特性在Vgs较大的时候是负温度系数，Vgs很大的时候是正温度系数，静态参数是正温度系数。Vgs电压一般最大值是20V，并联使用时一半的Vgs上升时间，都处于负温度系数区间，有很大的风险，不建议并联使用。