摘要：
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随笔分类 - 半导体器件 / 开关器件
半导体器件并联均流设计
2025-12-17 17:51 by 斑鸠，一生。, 120 阅读, 收藏,
摘要：
在大功率电源电路设计中，并联均流是趋势，下面总结常见器件均流的影响因素和特点。 一、影响因素 二、器件特性 2.1 GaN 器件 转移特性和静态参数均能是正温度系数，能实现均流。 2.2 Mosfet 器件 转移特性在Vgs较小的时候是负温度系数，Vgs较大的时候是正温度系数，静态参数是正温度系数， 阅读全文
Ancora GaN driver circuit
2025-12-05 17:41 by 斑鸠，一生。, 48 阅读, 收藏,
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1. Ancora GaN driving character 2. Driving circuit 阅读全文
Infineon GaN Driving Circuit
2025-12-04 18:06 by 斑鸠，一生。, 254 阅读, 收藏,
摘要：
1、Infineon GaN introduction 2、RC interface analysis 目前，GaN 器件作为开关器件，dV/dt可以做到>=200V/ns,然而Si器件的dV/dt,一般在45V/ns以下。过高的dV/dt对驱动芯片的CMTI要求很高，在驱动芯片选型的时候，需要特别 阅读全文
GaN 基础知识
2023-06-05 20:25 by 斑鸠，一生。, 2650 阅读, 收藏,
摘要：
1、简介 MOSFET与HEMT对比： MOSFET vs HEMT 导电沟道结构 Vertical Lateral 导电沟道类型 PN结 2DEG 工艺 Doping Heterostructure 热阻 基本相似 GaN 是未来电力电子设计的趋势，知名电源大厂也在抢夺高频市场。 由于GaN 是通 阅读全文
功率二极管特性
2023-02-08 15:40 by 斑鸠，一生。, 974 阅读, 收藏,
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本文用于记录二极管特性及损耗分析，欢迎大家批评指正，谢谢！长期更新中~~~~~ 1、二极管特性 1.1正向导通特性 二极管的伏安特性曲线与温度关系较大. 根据不同厂家的二极管制造工艺不同，二极管存在一个临界电流Ic。 当正向电流If大于临界电流Ic时，正向电压Vf与温度是负相关关系，相关系数a<1; 阅读全文
MOSFEET参数分析之Eoss
2021-08-22 10:17 by 斑鸠，一生。, 6129 阅读, 收藏,
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最近分析了Mosfet的寄生参数，其中Eoss是一个非常重要的参数。 1、Eoss参数的重要性 对于硬开关变换电路来说，MOSFET开通之前，Coss需要释放能量，这部分能量就构成一部分导通损耗。 对于软开关变换电路来说，MOSFET开通之前，电流可以为零，也可以流过反向二极管续流。实现了软开关减小 阅读全文
二极管反向恢复电荷对效率影响原因总结
2021-07-15 10:59 by 斑鸠，一生。, 5100 阅读, 收藏,
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在功率变换器中，整流二极管的Qrr值。对效率的影响较大。下面对Qrr造成的影响分析如下，欢迎大家多多指导。 1、反向恢复电流与反向恢复电荷 1.1现象 当二极管从正偏到反偏时，二极管电流不会立即截止。会产生一个反向恢复电流。 2、产生的损耗 2.1 该电荷在MOSFET内部释放 MOSFET的内部二 阅读全文
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