12 2021 档案

KBPC1010-ASEMI自带散热方桥KBPC1010
摘要：编辑：ll KBPC1010-ASEMI自带散热方桥KBPC1010 型号：KBPC1010 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 正向电流：10A 反向耐压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：95MIL 浪涌电流：240A 漏电流：500uA 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：单向 阅读全文
posted @ 2021-12-21 15:43 ASEMI首芯 阅读(73) 评论(0) 推荐(0)
25N120-ASEMI低功耗高效率MOSFET
摘要：编辑：ll 25N120-ASEMI低功耗高效率MOSFET 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：25A 电压：1200V 引脚数量：3 芯片个数：1 漏电流： 特性：低功耗场效应 工作温度：-55~+150℃ 使用优势 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在 阅读全文
posted @ 2021-12-20 11:38 ASEMI首芯 阅读(98) 评论(0) 推荐(0)
20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V
摘要：编辑：ll 20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V 型号：20N20 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：20A 反向耐压：200V 引脚数量：3 芯片个数：1 漏电流： 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：低功耗场效应管 工作温度：-55℃~+150℃ MOS场效应管 即 阅读全文
posted @ 2021-12-20 11:22 ASEMI首芯 阅读(163) 评论(0) 推荐(0)
KBP310-ASEMI开关小电源扁桥KBP310
摘要：编辑：ll KBP310-ASEMI开关小电源扁桥KBP310 型号：KBP310 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 电流：3A 电压：1000V 恢复时间：500ns 正向电压：1.10V 浪涌电流：80A 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：60MIL 漏电流：5UA 特性：整流扁桥 工作温 阅读全文
posted @ 2021-12-15 11:28 ASEMI首芯 阅读(155) 评论(0) 推荐(0)
KBP307-ASEMI小家电厨电桥堆KBP307
摘要：编辑：ll KBP307-ASEMI小家电厨电桥堆KBP307 型号：KBP307 品牌：ASEMI 封装：KBP-4/DIP-4 正向电流：3A 反向耐压：1000V 正向电压：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：60MIL 漏电流：5ua 浪涌电流：80A 芯片材质：GPP 封装尺 阅读全文
posted @ 2021-12-15 11:20 ASEMI首芯 阅读(199) 评论(0) 推荐(0)
GBU808-ASEMI桥堆超薄占比空间小
摘要：编辑：ll GBU808-ASEMI桥堆超薄占比空间小 型号：GBU808 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 电流：8A 电压：800V 恢复时间：500ns 正向电压：1.10V 浪涌电流：200A 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：96MIL 漏电流：5UA 特性：整流扁桥 工作温度：-5 阅读全文
posted @ 2021-12-14 10:32 ASEMI首芯 阅读(74) 评论(0) 推荐(0)
KBU808-ASEMI桥堆本体散热效果好
摘要：编辑：ll KBU808-ASEMI桥堆本体散热效果好 型号：KBU808 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 正向电流：8A 反向耐压：800V 正向电压：1.1V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：95MIL 漏电流：5ua 浪涌电流：200A 芯片材质：GPP 封装尺寸：如图 特性：整流扁 阅读全文
posted @ 2021-12-14 10:18 ASEMI首芯 阅读(118) 评论(0) 推荐(0)
KBL406-ASEMI高端电源适配器KBL406
摘要：编辑：ll KBL406-ASEMI高端电源适配器KBL406 型号：KBL406 品牌：ASEMI 封装：KBL-4 电流：4A 电压：600V 恢复时间：500ns 正向电压：1.10V 浪涌电流：120A 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：84MIL 漏电流：10UA 特性：整流扁桥 工作 阅读全文
posted @ 2021-12-13 14:23 ASEMI首芯 阅读(134) 评论(0) 推荐(0)
GBJ406-ASEMI适配器的良心选择GBJ406
摘要：编辑：ll GBJ406-ASEMI适配器的良心选择GBJ406 型号：GBJ406 品牌：ASEMI 封装：GBJ-4 正向电流：4A 反向耐压：600V 正向电压：1.1V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：84MIL 漏电流：5ua 浪涌电流：150A 芯片材质：GPP 封装尺寸：如图 特 阅读全文
posted @ 2021-12-13 14:08 ASEMI首芯 阅读(66) 评论(0) 推荐(0)
KBL410-ASEMI高品质整流扁桥KBL410
摘要：编辑：ll KBL410-ASEMI高品质整流扁桥KBL410 型号：KBL410 品牌：ASEMI 封装：KBL-4 电流：4A 电压：1000V 恢复时间：500ns 正向电压：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：72MIL 漏电流：5UA 特性：整流扁桥 工作温度：-55~+15 阅读全文
posted @ 2021-12-11 10:45 ASEMI首芯 阅读(88) 评论(0) 推荐(0)
BTA12A-ASEMI的12A双向可控硅IGBT管
摘要：编辑：ll BTA12A-ASEMI的12A双向可控硅IGBT管 型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：TO-220 反向耐压：30V 引脚数量：3 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅IGBT管 储存温度：-40℃~+150℃ 概述 可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结 阅读全文
posted @ 2021-12-11 10:24 ASEMI首芯 阅读(492) 评论(0) 推荐(0)
AO3401-ASEMI低功耗mos管
摘要：编辑：ll AO3401-ASEMI低功耗mos管 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 电流：4.2A 电压：30V 恢复时间： 正向电压： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流： 特性：低功耗场效应管 工作温度：-55~+150℃ MOS场效应管 即金属-氧化物-半 阅读全文
posted @ 2021-12-10 11:40 ASEMI首芯 阅读(865) 评论(0) 推荐(0)
AO3400-ASEMI低功耗长效应管AO3400
摘要：编辑：ll AO3400-ASEMI低功耗长效应管AO3400 型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 电性参数5.8A 30V 正向电流：5.8A 反向耐压：30V 恢复时间： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：场效应管 浪涌电流： 工作温度：-55℃ 阅读全文
posted @ 2021-12-10 11:13 ASEMI首芯 阅读(1402) 评论(0) 推荐(0)
40N120-ASEMI低功耗场效应管40A 1200V
摘要：编辑：ll 40N120-ASEMI低功耗场效应管40A 1200V 型号：40N120 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电流：40A 电压：1200V 恢复时间： 正向电压： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：10uA 特性：低功耗场效应管 工作温度：-55~+150℃ MOS 阅读全文
posted @ 2021-12-09 11:33 ASEMI首芯 阅读(803) 评论(0) 推荐(0)
25N120-ASEMI低功耗mos管25N120
摘要：编辑：ll 25N120-ASEMI低功耗mos管25N120 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数25A 1200V 正向电流：25A 反向耐压：1200V 恢复时间： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：场效应管 浪涌电流： 工作温度：-5 阅读全文
posted @ 2021-12-09 10:51 ASEMI首芯 阅读(351) 评论(0) 推荐(0)
7N80-ASEMI低功耗场效应管7A 800V
摘要：编辑：ll 7N80-ASEMI低功耗场效应管7A 800V 型号：7N80 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：7A 电压：800V 恢复时间： 正向电压： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：10uA 特性：低功耗场效应管 工作温度：-55~+150℃ MOS场效应管 即金属 阅读全文
posted @ 2021-12-08 10:49 ASEMI首芯 阅读(224) 评论(0) 推荐(0)
7N60-ASEMI低功耗mos管7N60
摘要：编辑：ll 7N60-ASEMI低功耗mos管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数7A 600V 正向电流：7A 反向耐压：600V 恢复时间： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：场效应管 浪涌电流： 工作温度：-55℃~+150℃ 场 阅读全文
posted @ 2021-12-08 10:39 ASEMI首芯 阅读(522) 评论(0) 推荐(0)
US5M-ASEMI贴片快恢复二极管US5M
摘要：编辑：ll US5M-ASEMI贴片快恢复二极管US5M 型号：US5M 品牌：ASEMI 封装：SMC 电流：5A 电压：1000V 恢复时间：50ns 正向电压： 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：102MIL 漏电流：10uA 特性：贴片快恢复二极管 工作温度：-55~+150℃ 快恢复二 阅读全文
posted @ 2021-12-07 11:24 ASEMI首芯 阅读(176) 评论(0) 推荐(0)
20N20-ASEMI场效应mos管20N20
摘要：编辑：ll 20N20-ASEMI场效应mos管20N20 型号：20N20 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 电性参数20A 200V 正向电流：20A 反向耐压：200V 恢复时间： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：场效应管 浪涌电流： 工作温度：-55℃~+ 阅读全文
posted @ 2021-12-07 11:14 ASEMI首芯 阅读(453) 评论(0) 推荐(0)
78M05-ASEMI三端稳压管78M05
摘要：编辑：ll 78M05-ASEMI三端稳压管78M05 型号：78M05 品牌：ASEMI 封装：TO-252 电流：0.5A 电压：35V 恢复时间： 正向电压： 引脚数量：4 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：10uA 特性：三端稳压管 工作温度：-65~+150℃ 三端稳压管： 三端稳压块稳压 阅读全文
posted @ 2021-12-04 11:28 ASEMI首芯 阅读(1135) 评论(0) 推荐(0)
BTA12A-ASEMI高效mos管BTA12A
摘要：编辑：ll BTA12A-ASEMI高效mos管BTA12A 型号：BTA12A 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数12A 800V 正向电流：12A 反向耐压：800V 恢复时间： 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：场效应管 浪涌电流： 工作温度：-40℃~+ 阅读全文
posted @ 2021-12-04 11:20 ASEMI首芯 阅读(201) 评论(0) 推荐(0)
MUR860D-ASEMI快恢复二极管MUR2060AC
摘要：编辑：ll MUR860D-ASEMI快恢复二极管MUR2060AC 型号：MUR860D 品牌：ASEMI 封装：TO-252 电流：8A 电压：600V 恢复时间：50ns 正向电压：1.05V~1.50V 引脚数量：4 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：10uA 特性：快恢复二极管 工作温度： 阅读全文
posted @ 2021-12-03 11:42 ASEMI首芯 阅读(281) 评论(0) 推荐(0)
MUR560D-ASEMI高效贴片快恢复二极管
摘要：编辑：ll MUR560D-ASEMI高效贴片快恢复二极管 型号：MUR560D 品牌：ASEMI 封装：TO-252 电性参数5A 600V 正向电流：5A 反向耐压：600V 恢复时间：50ns 引脚数量：4 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：贴片快恢复二极管 浪涌电流： 工作温度 阅读全文
posted @ 2021-12-03 11:11 ASEMI首芯 阅读(149) 评论(0) 推荐(0)