25N120-ASEMI低功耗高效率MOSFET

编辑：ll

25N120-ASEMI低功耗高效率MOSFET

型号：25N120

品牌：ASEMI

封装：TO-220

电流：25A

电压：1200V

引脚数量：3

芯片个数：1

漏电流：

特性：低功耗场效应

工作温度：-55~+150℃

使用优势

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

 

 

 ASEMI全系列封装图