2021年7月4日
Gate-All-Around MOSFETs based on Vertically Stacked Horizontal Si Nanowires in a Replacement Metal Gate Process on Bulk Si Substrates
摘要： Abstract 8nm直径垂直堆叠的Si 纳米线，通过RMG(Replacement Metal Gate)工艺在体硅上生长，短沟道特性非常好(SS=65mV/dec，DIBL=42mV/V当LG=24nm)，Si 纳米线下的寄生沟道通过GP(Ground Plane)得到了有效抑制 1.以体硅进 阅读全文
posted @ 2021-07-04 21:08 MengPlus 阅读(232) 评论(1) 推荐(0)
Gate All Around(GAA)
摘要： Phase 1 Content：文献调研及器件物理分析，确定GAA器件(包含MOL)的结构，在TCAD搭建GAA器件的三维结构。 Phase Target：确定MOL寄生电容、寄生电阻分量的构成 Output：GAA器件(包括MOL)的结构化分析及MOL电容、电阻的模块化 Phase 2 Conte 阅读全文
posted @ 2021-07-04 20:41 MengPlus 阅读(599) 评论(0) 推荐(0)
术语
摘要： AA：Active Area 有源区，在AA上形成源、漏、栅极，两个AA之间是用STI来隔离的 BEOL：Back end of line 后道工序 BTBT：Band-To-Band-Tunneling 带带隧穿 BOX：Buried oxide 氧化层 CD：Critical Dimension 阅读全文
posted @ 2021-07-04 19:42 MengPlus 阅读(2110) 评论(0) 推荐(1)