Gate All Around(GAA)

Phase 1

Content：文献调研及器件物理分析，确定GAA器件(包含MOL)的结构，在TCAD搭建GAA器件的三维结构。

Phase Target：确定MOL寄生电容、寄生电阻分量的构成

Output：GAA器件(包括MOL)的结构化分析及MOL电容、电阻的模块化

Phase 2

Content：文献调研及器件物理分析，确定GAA器件(包含MOL)的结构，在TCAD搭建GAA器件的三维结构。

Phase Target：获得电容的数值，涵盖实际的参数范围

Output：GAA器件中MOL电容的数值分析结果，及电容分量的结果

目前SAMSUNG已经做出了3nm的GAA，MBCFETS

在2nm时可能会使用Forksheet，1nm可能会用CFET，complementary