摘要： DD3118是一款基于40nm低功耗工艺设计的高性能读卡器控制芯片，专为现代存储设备需求优化。作为读卡器的核心控制器，它集成了USB 3.2、SD 3.0和eMMC 4.5协议支持，提供稳定高效的数据传输能力，适用于工业、消费电子及嵌入式系统。 DD3118核心特性 双接口USB设计 同时支持 US 阅读全文

摘要： 针对便携式/台式电脑的电源管理需求，禾纳科技推出的AET3152AP P沟道MOSFET以超低导通电阻、快速开关特性及高可靠性，成为高能效电源设计的理想选择。AET3152AP核心优势超低导通电阻典型值仅 11mΩ（@V_GS=-10V, I_D=-10A）， 阅读全文

摘要： 抖胆科技推出的DD3118是一款无晶振的USB3.0 Dua/Single LUN卡读取器控制器,采用40纳米低功耗技术制造的高性能、高集成度读卡器控制芯片可支持各种类型的存储卡，如Secure Digital。™(SD)、SDHC、miniSD、microSD(T-Flash)、多媒体卡已及高速S 阅读全文

摘要： DD3118是一款采用40纳米低功耗技术制造的高性能、高集成度读卡器控制芯 片，专为读卡器设计。作为读卡器的核心功能模块，DD3118支持USB 3.0、SD 3.0和eMMC 4.5标准协议，能够稳定访问存储在内存卡中的数据，并实现数据传 输功能。 DD3118主要功能 SD控制器： 符合SD规范 阅读全文

摘要： DD3118是一款高性能、高度集成的读卡器控制芯片，采用40nm低功耗技术制 造，专为读卡器设计。作为读卡器的核心功能模块，DD3118支持USB 3.0、SD 3.0和eMMC 4.5标准协议，能够稳定访问存储在内存卡中的数据，并实现数据传 输功能。 DD3118s主要特点 支持低速和高速时钟。 阅读全文

摘要： DD3118是一款高性能、高度集成的读卡器控制芯片，采用40nm低功耗技术制 造，专为读卡器设计。作为读卡器的核心功能模块，DD3118支持USB 3.0、SD 3.0和eMMC 4.5标准协议，能够稳定访问存储在内存卡中的数据，并实现数据传 输功能。 DD3118s主要特点 支持低速和高速时钟。 阅读全文

摘要： VDS=-40V,ID=-40A RDS (ON)=10.5mΩ ( TYP. )VGS=-10V,ID=-20A RDS (ON)=12.8mΩ ( TYP. )VGS=-4.5V,ID=-15A 快速切换 低电阻 低栅极电荷 增强模式 不含卤素和锑，符合Rohs标准 禾纳AET4102应用 交换 阅读全文

摘要： ATE3156AP/ATE3156AS是一款高性能MOSFET，具有VDS=-30V和ID=-10A的特性，典型导通电阻为15mΩ（VGS=-10V，ID=-10A）和19mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5A）。该器件支持快速切换，具备低电阻特性，且不含卤素和锑，符合Rohs标准。其工作温度范围为 阅读全文

摘要： AET3152AP特性VDS=-30V,ID=-40ARDS (ON)=11mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-10ARDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A快速切换 l 低电阻不含卤素和锑，符合Rohs标准温度范围：-55℃~125℃封装：PDFN303 阅读全文

摘要： DD3118是一款采用40nm工艺的高性能读卡器控制芯片，支持USB3.0、SD3.0和eMMC4.5协议，具备双接口设计（A/C型）。其主要特性包括无晶振系统时钟、3.3V/1.8V电源管理、高等级ESD防护（最高8000V HBM），支持-40℃~85℃宽温工作，提供QFN-42/24两种封装。 阅读全文