2025年5月29日

禾纳ATE3156AP/ATE3156AS,P沟道增强型MOSFET，替代AO4805方案

摘要： ATE3156AP/ATE3156AS是一款高性能MOSFET，具有VDS=-30V和ID=-10A的特性，典型导通电阻为15mΩ（VGS=-10V，ID=-10A）和19mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5A）。该器件支持快速切换，具备低电阻特性，且不含卤素和锑，符合Rohs标准。其工作温度范围为 阅读全文

posted @ 2025-05-29 15:32 TEL13699759787 阅读(15) 评论(0) 推荐(0)

禾纳EAT3152AP MOS电源芯片PIN TO PIN替代泰德TDM3307/2307方案

摘要： AET3152AP特性VDS=-30V,ID=-40ARDS (ON)=11mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-10ARDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A快速切换 l 低电阻不含卤素和锑，符合Rohs标准温度范围：-55℃~125℃封装：PDFN303 阅读全文

posted @ 2025-05-29 10:02 TEL13699759787 阅读(20) 评论(0) 推荐(0)

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