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2025年7月24日

芯详EMS4100芯片,高速USB3.0模拟开关芯片,替代ASW3410方案,EMS4100代理商

摘要: 芯详推出的EMS4100是一款高速数据开关,支持1:2/2:1多路复用/解复用功能,适用于USB3.1超高速10Gbps数据传输。该器件具有1.35GHz带宽、优异的信号隔离(-24dB)和串扰抑制(-34dB)性能,支持AC/DC耦合,工作电压范围1.5-5.0V。采用小型QFN封装,可替代FUS 阅读全文

posted @ 2025-07-24 18:07 TEL13699759787 阅读(75) 评论(0) 推荐(0)

2025年6月23日

DD3118 SD/TF读卡器控制器芯片:高性能与高集成度的存储解决方案

摘要: DD3118是一款基于40nm低功耗工艺设计的高性能读卡器控制芯片,专为现代存储设备需求优化。作为读卡器的核心控制器,它集成了USB 3.2、SD 3.0和eMMC 4.5协议支持,提供稳定高效的数据传输能力,适用于工业、消费电子及嵌入式系统。 DD3118核心特性 双接口USB设计 同时支持 US 阅读全文

posted @ 2025-06-23 14:41 TEL13699759787 阅读(71) 评论(0) 推荐(0)

AET3152AP高性能P沟道MOSFET赋能高效电源管理可替代TDM2307方案

摘要: 针对便携式/台式电脑的电源管理需求,禾纳科技推出的AET3152AP P沟道MOSFET以超低导通电阻、快速开关特性及高可靠性,成为高能效电源设计的理想选择。AET3152AP核心优势超低导通电阻典型值仅 11mΩ(@V<sub>GS</sub>=-10V, I<sub>D</sub>=-10A), 阅读全文

posted @ 2025-06-23 09:40 TEL13699759787 阅读(26) 评论(0) 推荐(0)

2025年6月19日

DD3118工规级USB3.0 SD/TF读卡器芯片,低成本替代创惟GL3213S方案

摘要: 抖胆科技推出的DD3118是一款无晶振的USB3.0 Dua/Single LUN卡读取器控制器,采用40纳米低功耗技术制造的高性能、高集成度读卡器控制芯片可支持各种类型的存储卡,如Secure Digital。™(SD)、SDHC、miniSD、microSD(T-Flash)、多媒体卡已及高速S 阅读全文

posted @ 2025-06-19 17:43 TEL13699759787 阅读(122) 评论(0) 推荐(0)

2025年6月16日

DD3118规格书,DD3118设计资料,抖胆DD3118代理商,USB3.0读卡器芯片

摘要: DD3118是一款采用40纳米低功耗技术制造的高性能、高集成度读卡器控制芯 片,专为读卡器设计。作为读卡器的核心功能模块,DD3118支持USB 3.0、SD 3.0和eMMC 4.5标准协议,能够稳定访问存储在内存卡中的数据,并实现数据传 输功能。 DD3118主要功能 SD控制器: 符合SD规范 阅读全文

posted @ 2025-06-16 10:15 TEL13699759787 阅读(41) 评论(0) 推荐(0)

2025年6月13日

抖胆DD3118高性价比USB3.0读卡器芯片方案-替代创惟GL3213S

摘要: DD3118是一款高性能、高度集成的读卡器控制芯片,采用40nm低功耗技术制 造,专为读卡器设计。作为读卡器的核心功能模块,DD3118支持USB 3.0、SD 3.0和eMMC 4.5标准协议,能够稳定访问存储在内存卡中的数据,并实现数据传 输功能。 DD3118s主要特点 支持低速和高速时钟。 阅读全文

posted @ 2025-06-13 09:04 TEL13699759787 阅读(35) 评论(0) 推荐(0)

2025年5月30日

DD3118S国产3.0读卡器芯片,抖担DD3118S代理商,替代GL3213s方案

摘要: DD3118是一款高性能、高度集成的读卡器控制芯片,采用40nm低功耗技术制 造,专为读卡器设计。作为读卡器的核心功能模块,DD3118支持USB 3.0、SD 3.0和eMMC 4.5标准协议,能够稳定访问存储在内存卡中的数据,并实现数据传 输功能。 DD3118s主要特点 支持低速和高速时钟。 阅读全文

posted @ 2025-05-30 16:02 TEL13699759787 阅读(152) 评论(0) 推荐(0)

禾纳AET4102规格书,P-通道EpicMOSTM,禾纳AET4102代理商

摘要: VDS=-40V,ID=-40A RDS (ON)=10.5mΩ ( TYP. )VGS=-10V,ID=-20A RDS (ON)=12.8mΩ ( TYP. )VGS=-4.5V,ID=-15A 快速切换 低电阻 低栅极电荷 增强模式 不含卤素和锑,符合Rohs标准 禾纳AET4102应用 交换 阅读全文

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2025年5月29日

禾纳ATE3156AP/ATE3156AS,P沟道增强型MOSFET,替代AO4805方案

摘要: ATE3156AP/ATE3156AS是一款高性能MOSFET,具有VDS=-30V和ID=-10A的特性,典型导通电阻为15mΩ(VGS=-10V,ID=-10A)和19mΩ(VGS=-4.5V,ID=-5A)。该器件支持快速切换,具备低电阻特性,且不含卤素和锑,符合Rohs标准。其工作温度范围为 阅读全文

posted @ 2025-05-29 15:32 TEL13699759787 阅读(15) 评论(0) 推荐(0)

禾纳EAT3152AP MOS电源芯片PIN TO PIN替代泰德TDM3307/2307方案

摘要: AET3152AP特性VDS=-30V,ID=-40ARDS (ON)=11mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-10ARDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A快速切换 l 低电阻不含卤素和锑,符合Rohs标准温度范围:-55℃~125℃封装:PDFN303 阅读全文

posted @ 2025-05-29 10:02 TEL13699759787 阅读(20) 评论(0) 推荐(0)

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