AET3152AP高性能P沟道MOSFET赋能高效电源管理可替代TDM2307方案

针对便携式/台式电脑的电源管理需求，禾纳科技推出的AET3152AP P沟道MOSFET以超低导通电阻、快速开关特性及高可靠性，成为高能效电源设计的理想选择。
AET3152AP核心优势
超低导通电阻
典型值仅 11mΩ（@V_GS=-10V, I_D=-10A），大幅降低导通损耗。
轻载优化：15mΩ（@V_GS=-4.5V, I_D=-5A），提升低功耗场景效率。
卓越功率处理能力
高电流支持：-40A 连续漏极电流（T_c=25℃），脉冲电流达 -160A。
耐压等级：-30V V_DS，±25V V_GS，适应电压波动环境。
动态性能优化
快速开关（t_r/t_f=22ns/42ns），减少开关损耗。
低栅极电荷（Q_g=26.4nC），提升驱动效率。
关键应用场景
电源开关控制
利用低R_DS(ON)特性，实现高效率DC-DC转换。
便携/台式电脑电源管理
支持CPU/GPU供电电路，满足高电流、紧凑空间需求。

AET3152AP可靠性与环保设计
热管理：
低热阻（R_θJC=3.2℃/W），搭配散热设计可承受39W功率（T_c=25℃）。
雪崩耐受能力（E_AS=75mJ），增强系统鲁棒性。
环保合规：无卤素/锑，符合RoHS标准。
封装与订购信息
封装：PDFN3030（3.3×3.3mm），专为高密度PCB设计优化。
工作温度：-55℃~+125℃，适应严苛环境。
订购型号：AET3152AP（5000pcs/卷盘）。

AET3152AP通过性能-尺寸-能效三重突破，为现代电子设备的电源系统提供高性价比解决方案。设计人员可借助其优异的电气特性，实现更紧凑、高效的电源架构。