摘要：
ftp://ftp.ni.com/evaluation/labview/ekit/other/downloader/ 阅读全文
posted @ 2018-02-27 13:45
_隔壁_老王
阅读(5482)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
https://wenku.baidu.com/view/0c0b0aa1f524ccbff121841f.html 阅读全文
posted @ 2017-12-26 10:36
_隔壁_老王
阅读(221)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
https://wenku.baidu.com/view/1997648c9ec3d5bbfd0a74d8.html 阅读全文
posted @ 2017-12-19 20:02
_隔壁_老王
阅读(403)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
https://wenku.baidu.com/view/2e6033f00912a216147929d7.html 阅读全文
posted @ 2017-12-14 11:18
_隔壁_老王
阅读(562)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
http://pan.baidu.com/s/1gfOpyZx msee 阅读全文
posted @ 2017-09-25 23:42
_隔壁_老王
阅读(1399)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
R5可以舍去，只是为了提高PNOS管的G极的电压。R1的电阻可以大一些，选用10k，也可以不接。不过这个电路有人说响应速度不够快，有较长的延迟，需要接反馈电阻。我也不知道要如何改进。 阅读全文
posted @ 2017-09-21 23:39
_隔壁_老王
阅读(251)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
参考文章：https://wenku.baidu.com/view/74e31c2e0722192e4536f6fb.html 电路中一般讲电压高的一端放在上方。 故NPN管C（集电极）极放在上方。 PNP管E（发射极）极放在上方。 注意：VB与VE之间有一个二极管的压降。 NPN管： 一般E极接地 阅读全文
posted @ 2017-09-21 22:43
_隔壁_老王
阅读(1259)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
文章来源：https://wenku.baidu.com/view/c118c3fb360cba1aa811da9d.html S:源极 D;漏极 G:栅极 B:衬底 一般出厂后的mosfet芯片它的S极和B极是连在一起的，导致了D极和S极必须要区分开。 NMOS: 一般S极接地或者输出，D极作为输 阅读全文
posted @ 2017-09-21 00:18
_隔壁_老王
阅读(1148)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
声明：本文为转载的文章；并非由本人创作；发博文只是为了整理、记录。 推荐的比较完全，比较清晰的文章(含图)：http://blog.csdn.net/sunny04/article/details/40627311 转载时请注明出处和作者联系方式：http://blog.csdn.net/absur 阅读全文
posted @ 2017-08-09 15:09
_隔壁_老王
阅读(8486)
评论(0)
推荐(0)
浙公网安备 33010602011771号