摘要:        
R5可以舍去,只是为了提高PNOS管的G极的电压。R1的电阻可以大一些,选用10k,也可以不接。不过这个电路有人说响应速度不够快,有较长的延迟,需要接反馈电阻。我也不知道要如何改进。    阅读全文
posted @ 2017-09-21 23:39
_隔壁_老王
阅读(251)
评论(0)
推荐(0)
        
            
        
        
摘要:        
参考文章:https://wenku.baidu.com/view/74e31c2e0722192e4536f6fb.html 电路中一般讲电压高的一端放在上方。 故NPN管C(集电极)极放在上方。 PNP管E(发射极)极放在上方。 注意:VB与VE之间有一个二极管的压降。 NPN管: 一般E极接地    阅读全文
posted @ 2017-09-21 22:43
_隔壁_老王
阅读(1260)
评论(0)
推荐(0)
        
            
        
        
摘要:        
文章来源:https://wenku.baidu.com/view/c118c3fb360cba1aa811da9d.html S:源极 D;漏极 G:栅极 B:衬底 一般出厂后的mosfet芯片它的S极和B极是连在一起的,导致了D极和S极必须要区分开。 NMOS: 一般S极接地或者输出,D极作为输    阅读全文
posted @ 2017-09-21 00:18
_隔壁_老王
阅读(1148)
评论(0)
推荐(0)
        
                    
                
浙公网安备 33010602011771号