CIOE 2026光博会：1.6T光模块商用、3.2T/6.4T/12.8T展示、NPO起量、光芯片攻坚、硅光成熟

9月9日至11日，第27届中国国际光电博览会（CIOE 2026）在深圳国际会展中心举办。这是全球光通信领域规模最大的年度展会之一，全球主流光通信供应链企业悉数参展。

与往届不同，本届光博会不再是概念展示为主，而是大量产品已经进入客户验证、小批量出货甚至规模量产阶段。本文基于展会现场发布的先进产品和技术，从光模块、互联架构、上游芯片、硅光技术四个维度，深度拆解光通信产业链现状及其发展趋势。

一、1.6T规模商用元年：从展品到量产的真实进度

本届光博会上，1.6T光模块毫无悬念地成为全场焦点。800G产品已进入规模部署阶段，1.6T则从去年的概念展示全面转向商用落地。

从技术路线看，当前1.6T光模块主要采用8通道200G PAM4方案，即每通道200Gbps，8个通道并行实现1.6Tbps总带宽。这一路线的成熟度较高，因为200G/lane技术已于去年成熟，产业链上下游配套完善。

华工正源的展台较具代表性。其1.6T产品系列并排陈列了五个模块，覆盖不同功耗等级和应用场景。在8通道200G的主流方案中，功耗呈现清晰的梯度：LPO（无DSP）方案仅10W，LRO（线性驱动）方案17W，FRO（带重定时器）方案24W，带全DSP的2×FR4方案26W。从无DSP到全DSP，功耗相差2.6倍，这背后是信号处理功能从模块端向主机端转移的程度差异。

值得注意的是，展台上还出现了一款单波400G的1.6T DSP方案，采用4通道×400G架构，功耗达到43W。这是更前沿的下一代技术路线，目前处于展示验证阶段，与8×200G的主流方案不属于同一技术代际。

更值得关注的是单波400G的3.2T方案。华工正源在展会上实时展示了基于单波400G的3.2T模块解决方案，集成最新3nm和2nm 400G DSP芯片，实现单波450Gbps PAM4传输速率，TDECQ小于2.5dB，消光比大于4.5dB。这意味着3.2T光模块等于8×400G，单通道速率从200G跃升至400G，是下一代光模块的核心技术方向。

400G/lane的物理挑战在于传输损耗随速率平方增长。200G/lane时，传统EML激光器和硅光方案还能应对；到了400G/lane，传统硅光调制器的带宽和损耗面临瓶颈，薄膜铌酸锂调制器被公认为最有希望的候选技术。目前400G/lane方案预计明年上半年技术成熟，本届展会上已有公开演示。

从行业节奏看，新技术商用的推进速度很快，800G光模块需求在2026年有望翻倍，1.6T模块预计实现10倍以上的需求增长。1.6T的规模化商用已在2026年全面启动，3.2T预计2027至2028年开启商用。

图1：华工正源CIOE 2026展台1.6T光模块全系列陈列，覆盖FRO/LRO/LPO多种功耗方案

二、NPO与CPO路线之争：过渡方案与终极架构的博弈

本届光博会上，NPO（Near Package Optics，近封装光学）方案密集亮相，成为仅次于1.6T的第二大热点。CPO（Co-Packaged Optics，共封装光学）则呈现从技术验证走向规模化量产的趋势。

理解NPO和CPO的区别，先要搞清楚传统可插拔光模块的问题。传统可插拔光模块插在交换机面板上，光引擎和交换芯片之间有数十厘米的PCB走线，电信号在这段走线上传输会产生严重的损耗和串扰，速率越高问题越突出。当单通道速率达到200G甚至400G时，电互连的功耗和信号完整性已经成为瓶颈。

CPO的思路是把光引擎和交换芯片封装在同一基板上，大幅缩短电互连距离，追求最低功耗和最高带宽密度。但CPO的问题是可维护性差，光引擎一旦故障需要更换整个交换机，而且供应链需要重构，标准化程度低。

NPO则是折中方案。NPO把光引擎放在交换芯片附近（通常在同一个面板或正交板上），但保留可插拔性，光源模块（ELSFP）仍然可以热插拔更换。NPO在带宽密度、功耗、可维护性和成本之间取得了平衡，被业界普遍视为短期确定性更高的过渡方案。

本届展会上，NPO产品已经从概念走向客户验证：

新易盛发布了1.6T光模块以及6.4T NPO方案，NPO方案已在推进与客户合作。

华工正源的NPO产品已做到3.2T，相关产品已在与客户做测试。此前在OFC 2026上，华工正源与阿里云联合实现全球首款3.2T NPO模块成功点亮。

华工正源还展示了6.4T NPO硅光引擎，采用单波400G×16通道方案，适配AI大模型训练集群。

光迅科技同步展示了6.4T硅光单模NPO、3.2T VCSEL NPO等方案。

图2：华工正源6.4T NPO光引擎实物，采用单波400G×16通道方案

上游芯片也在快速跟进。英思嘉展出的1.6T NPO套片包括ISG-D9680激光驱动器和ISG-T9780线性TIA，八通道设计，通道间距只有375微米。市面上做到这个间距的1.6T NPO套片方案目前只有他们一家，对高密度集成场景来说这个指标很关键。

海光芯则从芯片侧补上了NPO拼图，其新推出的"灵缇"芯片是32通道NPO硅光收发芯片，单通道速率不低于200Gb/s，面向3.2T/6.4T NPO光模块。芯片采用高通道密度收发一体化设计，支持高铜柱或RDL再布线层封装。

云厂商的态度是NPO能否规模化的关键。腾讯光网络技术专家在展会同期论坛指出，相比CPO方案，NPO方案具备良好扩展性、适中带宽密度与成本，可维护性在可接受范围，综合优势明显，腾讯预计年底至明年初进行真实场景下的NPO方案规模化部署验证。

中国信息通信研究院的预测更为明确：2027年NPO技术将实现量产开启规模部署，到2028年3.2T光模块开启商用，长期来看CPO与NPO、可插拔多技术路径将协同发展，构建AI智算中心较完善的光互联网络。

CPO方面，华工正源展示了3.2T CPO光引擎，这是首次在光博会上公开亮相。CPO将光引擎与交换芯片通过先进封装技术集成在同一基板上，通过更高程度的光电集成追求更低功耗和更高带宽密度。奥芯明则聚焦CPO规模化制造与光电异构集成，从精密光子器件贴装到多芯片集成、扇出型封装与热压键合，完整呈现面向下一代光互连的制造路径。

OIF（光互联论坛）已正式立项，并启动了6.4T、12.8T NPO的标准化工作。标准化的推进将加速NPO从客户验证走向规模部署。

三、上游光芯片：200G EML与CW激光器的国产化攻坚

光模块的核心是光芯片。本届光博会上，上游光芯片企业的参展力度明显加大，200G EML和高功率CW激光器成为竞争焦点。

光芯片可以分为激光器芯片和探测器芯片两大类。激光器芯片又包括DFB（分布反馈）、EML（电吸收调制激光器）、CW（连续波）激光器等。其中，EML是高速光模块的核心发射器件，CW激光器是硅光模块和CPO/NPO的外置光源。

1. 200G EML：1.6T的核心器件

单通道200G PAM4 EML是1.6T/3.2T超高速光模块的核心发射端器件，直接决定AI算力集群的光互联能力。本届展会上，多家国内企业展示了200G EML进展：

长光华芯：100G EML已实现量产，200G EML处于客户验证阶段，计划2026年第四季度启动量产。公司同时布局400G EML研发。

源杰科技：100G EML已完成头部客户验证并小批量量产，200G EML处于客户验证阶段，计划2026年底量产。

苏州鼎芯：展示100G/200G EML系列，采用有源对接方案，独立优化DFB部分和EA部分，能同时实现DFB的高功率输出以及EA的高调制速率。

索尔思光电（东山精密旗下）：国内已规模量产200G EML并进入北美头部客户的企业。

200G EML的技术壁垒在于外延材料、量子阱设计和纳米级刻蚀工艺。EML本质上是DFB激光器和EA（电吸收调制器）的单片集成，DFB部分需要高功率输出，EA部分需要高调制带宽，两者的材料体系和工艺要求不同，单片集成的难度很大。

2. CW激光器：硅光和CPO的能量来源

CW（连续波）激光器是硅光模块和CPO/NPO架构的外置光源。硅光芯片本身不能发光，需要外部CW激光器提供光源，通过光纤或透镜耦合进入硅光芯片。CW激光器的功率和稳定性直接决定硅光模块的性能和良率。本届展会上，CW激光器的功率竞赛非常激烈：

长光华芯：70mW/100mW CW激光器已实现量产，覆盖硅光模块及1.6T/3.2T光引擎需求。

源杰科技：70mW CW芯片已大规模供货，100mW批量交付，卡位800G/1.6T硅光及CPO场景。

仕佳光子：100mW CW激光器稳定量产，400mW CW激光器已小批量交付。

源杰科技针对1.6T光模块研发的300mW高功率CW光源已突破核心技术，送样头部客户。

CW激光器的发展趋势是功率不断提升。从70mW到100mW，再到300mW、400mW甚至500-800mW，更高的功率意味着可以支持更多通道的硅光芯片，提升光引擎的集成度。但高功率也带来了可靠性和散热的挑战，需要在功率、效率和寿命之间取得平衡。

3. AWG与其他无源芯片

除了有源激光器芯片，无源芯片也是光模块的重要组成部分。仕佳光子的1.6T AWG（阵列波导光栅）芯片已完成验证并实现小批量出货。AWG是波分复用系统的核心器件，用于将多个波长的光信号合成或分离，在1.6T/3.2T光模块中不可或缺。

整体来看，国内光芯片产业正在从中低端向高端突破。100G EML已实现量产，200G EML处于客户验证到小批量量产的关键阶段，高功率CW激光器的功率等级不断提升。但需要客观看到，在最顶尖的200G EML良率和可靠性方面，国内企业与海外一线厂商仍有差距，国产化替代是一个渐进过程。

图3：光迅科技CIOE 2026展台1.6T光模块家族，涵盖DSP、LPO、LRO等多种技术路线

四、硅光与薄膜铌酸锂：400G/lane的技术路线选择

硅光技术是本届光博会的另一条主线。无论是可插拔模块的1.6T/3.2T，还是NPO/CPO光引擎，硅光都是核心技术平台。

硅光的基本思路是用CMOS工艺在硅晶圆上制造光器件，包括调制器、波导、耦合器等，然后与III-V族激光器混合集成。硅光的优势是集成度高、可大规模制造、成本潜力大，但硅本身不能发光，需要外置光源。

本届展会上，硅光技术呈现两个趋势：

第一，硅光在1.6T可插拔模块中的渗透率持续提升。中际旭创的1.6T硅光模块已实现量产，光迅科技的1.6T硅光模块在国内展会展出。硅光方案在1.6T时代的优势在于集成度高、通道一致性好，适合大规模量产。

第二，400G/lane成为硅光技术的关键门槛。传统硅光调制器（载流子耗尽型）在400G/lane速率下面临带宽不足和损耗过大的问题。薄膜铌酸锂（TFLN）调制器被公认为最有希望的候选技术，因为铌酸锂具有极高的电光系数和带宽，可以支持400G/lane甚至更高速率。

光联芯科在本届展会上全球首发了微环晶圆波长编辑装备"至微"系列ZW1000硅光无掩膜可编程光刻机。这是针对硅光芯片晶圆级波长修正的专用设备，解决硅光微环谐振器对工艺偏差敏感、波长一致性差的痛点。这一设备的推出，意味着硅光制造从"设计+流片"向"设计+流片+晶圆级修正"的完整工艺链演进。

国科光芯则携子公司星汉光子、凯伟佩科展出高速硅光芯片、SS-OCT精密测量系统等产品，展示从材料工艺、芯片设计到集成封装的全链条能力。

薄膜铌酸锂方面，虽然本届展会上没有大规模的产品展示，但行业共识已经形成：在400G/lane及以上速率，薄膜铌酸锂调制器将成为主流方案。目前薄膜铌酸锂的主要挑战在于大规模制造的良率和成本，以及与硅光平台的集成方式。

图4：华工正源单波400G 3.2T光模块解决方案，集成3nm/2nm 400G DSP芯片

五、XPO、LPO、OCS：多技术路径协同的光互联新架构

除了NPO和CPO，本届光博会上还出现了XPO、LPO、OCS等多种新的光互联架构，反映出行业正在从单一技术路线走向多路径协同。

1. XPO：可插拔共封装光学

XPO（可插拔共封装光学）是华工正源提出的新概念。其展示的12.8T XPO光模块是全球首款超高密度可插拔液冷光模块，带宽密度提升4倍，单RU交换机容量可达204.8T。

XPO的核心思路是在保留可插拔性的同时，实现接近CPO的带宽密度和功耗水平。它采用液冷散热，解决了超高密度光模块的散热难题。XPO可以看作是可插拔架构的极限延伸，在CPO完全成熟之前，为超高密度光互联提供了一条可行路径。

光迅科技也同步展示了12.8T XPO等前沿技术，面向下一代更高带宽密度光互联场景。

2. LPO：低功耗的现实选择

LPO（线性可插拔光模块）在本届展会上受到广泛关注。LPO去掉了模块内的DSP芯片，依靠主机端的DSP完成信号均衡和处理，模块功耗大幅降低。

LPO的优势是功耗低、成本低、延迟小。但LPO对主机端DSP的要求更高，而且传输距离受限，主要适用于数据中心内部500米以内的短距互联。目前LPO技术已在多家云厂商中投入使用，在1.6T时代的渗透率将快速提升。

3. OCS：全光交换从自研走向市场化

OCS（光电路交换）技术正在从云厂商自研走向多供应商市场，成为大规模AI集群的基础技术。OCS通过光开关直接在光层建立连接，不需要经过电交换，大幅降低大规模AI集群中GPU之间的互联功耗和延迟。

在AI训练集群中，GPU之间的通信流量巨大，传统电交换架构面临功耗和带宽瓶颈。OCS可以根据训练任务的通信模式动态配置光连接，实现GPU之间的全光互联，是下一代AI集群网络的重要方向。腾景科技在本届展会上展示了OCS光交换领域的光学元组件解决方案。

4. 空芯光纤与空分复用：打破容量瓶颈

在光传输层面，空分复用（SDM）与空芯光纤（HCF）等新型光纤技术打破了传统单模光纤的容量瓶颈。空芯光纤的光在空气中传输，延迟比传统光纤低约30%，非线性效应极小，适合时延敏感类应用场景。长飞公司在本届展会上展示了反谐振空芯光纤，衰减低至0.04dB/km，单根连续长度超91公里，累计商用交付超万芯公里，成为展台焦点。

图5：长飞公司CIOE 2026展台，反谐振空芯光纤与AI智算全光底座解决方案

六、产业链趋势判断

第一，1.6T规模商用已经启动，3.2T是下一个主战场。2026年是1.6T光模块规模化商用元年，800G与1.6T将在未来两年并行出货。3.2T的技术路线（8×400G）已经明确，单波400G的DSP、EML、调制器等核心器件正在快速成熟，预计2027至2028年开启商用。

第二，NPO是未来两到三年确定性最高的技术方向。CPO是终极架构，但可维护性和标准化问题短期难以解决。NPO在性能、成本和可维护性之间取得了平衡，云厂商已经开始规模化部署验证，2027年量产开启规模部署的概率很高。CPO与NPO、可插拔将长期协同发展，不是简单的替代关系。

第三，上游光芯片的国产化进入关键窗口期。200G EML是1.6T/3.2T的核心瓶颈，国内多家企业已进入客户验证阶段，2026年底至2027年初将是量产突破的关键节点。高功率CW激光器的功率竞赛仍在继续，300mW以上产品将成为硅光和CPO的标配。光芯片的国产化率提升将从根本上增强国内光模块产业的供应链安全。

第四，硅光技术平台成为竞争的基础设施。无论是可插拔模块还是NPO/CPO，硅光都是核心技术平台。硅光的竞争不再是单一芯片的竞争，而是包括设计、制造、封装、测试、修正在内的全工艺链竞争。薄膜铌酸锂在400G/lane及以上速率的应用值得持续关注。

第五，光互联不再是孤立器件，而是与交换芯片、GPU/AI芯片架构深度耦合的子系统。NPO、CPO、XPO等新架构的出现，本质上是光互联向芯片靠近的过程。未来头部芯片厂商与光模块厂商的联合设计、联合验证将成为常态，这将从根本上改变产业链的合作模式。

第六，多技术路径协同是行业的长期特征。可插拔、LPO、NPO、CPO、XPO、OCS各有适用场景和技术优势，不会出现一种技术完全替代另一种的局面。数据中心内部不同层级的互联（柜内、柜间、集群间）将采用不同的技术方案，构建多层次的光互联网络。

光通信产业正处于从"电互连为主"向"光互连深度渗透"的架构转型期。当电信号的传输速率追不上光信号的带宽增长时，"铜退光进"正在从口号变成架构现实。这个转型不是一蹴而就的，而是通过1.6T商用、NPO起量、光芯片攻坚、硅光成熟等一系列技术节点逐步推进的。对于产业链各方而言，理解各技术路线的真实成熟度和应用场景，比追逐单一概念更重要。（完）

免责声明：本文仅用于光通信产业链、高速光互联及半导体光芯片相关技术研究与产业分析，不构成任何投资、证券或金融产品相关建议，不作为投资参考。文中数据以各官方机构和企业正式发布口径为准。

星河听雨斋

深度产业研报：芯片半导体、AI基础设施、AI智能硬件、具身智能、光通信等硬件科技方面的行业研究、产业链分析和技术拆解。

作者：张星河，AI科技公司创始人，前华为资深架构师、产品战略规划师，20年行业老兵。