2024年1月7日
集成电路工艺与器件
摘要： 干法刻蚀与湿法刻蚀 干法刻蚀高能离子与材料表面的相互作用 湿法刻蚀主要基于溶液中的化学反应 掺杂方法 热扩散、离子注入 扩散系数 快速退火 晶体缺陷修复：在半导体制造过程中，快速退火可帮助修复由于离子注入、沉积或蚀刻等步骤引入的晶体缺陷。通过高温快速退火，晶体中的缺陷可以重新排列和修复，从而提高晶体 阅读全文
posted @ 2024-01-07 21:25 心比天高xzh 阅读(362) 评论(0) 推荐(0)