吴建明

摘要： Architecture and Process Integration Overview of 3D NAND Flash Technologies 3D NAND闪存技术的架构和工艺集成概述 摘要：在过去的几十年里，NAND闪存一直是最成功的非易失性存储技术之一，由于其高可扩展性和可靠的开关特性 阅读全文

摘要： 6本书推荐《MLIR编译器原理与实践》、《ONNX人工智能技术与开发实践》、《AI芯片开发核心技术详解》、《智能汽车传感器：原理·设计·应用》、《TVM编译器原理与实践》、《LLVM编译器原理与实践》 由清华大学出版社资深编辑赵佳霓老师策划编辑的新书《MLIR编译器原理与实践》已经出版，京东、淘宝天 阅读全文

摘要： 1D线掩模：全3D计算域 首先，使用包含吸收体结构和多层反射镜的3D计算域重新审视EUV线掩模。图5显示了对几何体进行离散化的网格（使用网格生成器JCMgeo自动生成）。对于三维设置，网格由棱柱形元素组成（而不是二维设置中的三角形元素）。使用不同的空间网格对相同的物理设置进行了模拟，网格分辨率增加， 阅读全文

摘要： 对具有二维周期性吸收体图案的极紫外光刻掩模的光散射进行了模拟。在一项详细的收敛研究中，表明在相对较大的3D计算域以及存在侧壁角度和拐角圆角的情况下，可以获得准确的结果。 材料和参数设置 所研究的结构由多层反射镜上的吸收器堆叠组成（共120层）。图1显示了几何形状的3D网格和电池组一部分中的典型电场分 阅读全文

摘要： 6本书推荐《MLIR编译器原理与实践》、《ONNX人工智能技术与开发实践》、《AI芯片开发核心技术详解》、《智能汽车传感器：原理·设计·应用》、《TVM编译器原理与实践》、《LLVM编译器原理与实践》 由清华大学出版社资深编辑赵佳霓老师策划编辑的新书《MLIR编译器原理与实践》已经出版，京东、淘宝天 阅读全文

摘要： 过去几年, 具有存算一体特性的 AI 芯片不断 涌现, 工艺节点涵盖了 14—180 nm, 计算架构包括 了近存计算、存内计算和神经形态计算, 应用场景 覆盖了边缘端到云端设备. 在各种硬件方案中, 基 于 3D-NAND 的神经形态芯片在芯片容量, CMOS 工艺兼容性和成本方面极具优势. 本文 阅读全文

摘要： 3D-NAND 闪存工艺成熟并且存储密度极高, 基于 3D-NAND 的神经形态芯片受到许多研究者的关注. 然而由于该技术的专利性质, 少有基 于 3D-NAND 神经形态计算的硬件实现. 本文综述了用 3D-NAND 实现神经形态计算的工作, 介绍了其中前 向传播和反向传播的机制, 并提出了目前 阅读全文

摘要： 6本书推荐《MLIR编译器原理与实践》、《ONNX人工智能技术与开发实践》、《AI芯片开发核心技术详解》、《智能汽车传感器：原理·设计·应用》、《TVM编译器原理与实践》、《LLVM编译器原理与实践》 由清华大学出版社资深编辑赵佳霓老师策划编辑的新书《MLIR编译器原理与实践》已经出版，京东、淘宝天 阅读全文

摘要： 生命周期 1. OpenVX 上下文生命周期 OpenVX上下文的生命周期非常简单，如图2-7所示。 图2-7.OpenVX 上下文的生命周期模型 2.图形生命周期 如图2-8所示，OpenVX在图形生命周期中，有以下四个主要阶段。 1）构造：图形通过vxCreateGraph创建，节点通过数据对象 阅读全文

摘要： 基本视觉功能 1.输入输出表 OpenVX附带了一组标准的或基本的视觉功能。表2-2列出了支持的视觉功能集、输入类型（见表2-2）和输出类型（见表2-3），以及支持的OpenVX版本。 表2-2 OpenVX视觉功能输入参数 视觉功能 U1 S8 U8 U16 S16 U32 F32 颜色 其他 A 阅读全文