摘要： MOSFET是一个四端器件（栅极、源极、漏极、衬底）。 衬底一般连接到一个直流电源端: NMOS的衬底接地GND，PMOS的衬底接高电平VDD。(为了使得MOS管中的PN结零偏或反偏，尽管如此，二极管的结电容也会对电路产生影响) （PN结正偏不仅会形成通路，也会导致结电容急剧增大 C=ES/D） N 阅读全文

摘要： 一、Modelsim仿真发现所有的指令都不执行，可能是指令读取问题和总线信号的控制问题。 我遇到的：HRESP信号未使用，也没有赋值。查阅后发现HRESP是数据错误响应信号，允许设置为常0即代表不会出错，就不会压制主机了。 二、Modelsim仿真能通过，但是下载到FPGA上后，进行KEIL调试发现 阅读全文

摘要： 首先：输出端为带电容那端。 采用电容来模拟输出负载的原因：1.MOS的输出后面还会接其他MOS管的栅极，栅极和源、漏之间为直流开路状态。 2.栅极和源、漏以及沟道之间类似于一个电容的结构。 PMOS管 其次：源漏极的区分。（没加电源与地之前，没有源漏之分） 对于PMOS管，导电的多数载流子为空穴，而 阅读全文

摘要： 组合逻辑电路的特点是，假设有足够的时间使逻辑门稳定下来，那么逻辑功能块的输出就只与当前的输入有关。 为了保存一些状态信息，则产生了时序逻辑电路。一个时序逻辑电路具有记忆功能。 存储信息的基本单元称为触发器，具有保持和接收（改变存储信息）的特点。 触发器按照电路功能分为：基本RS触发器、锁存器（钟控触 阅读全文