随笔分类 - ARM编程
摘要:MDK软件2020年到期修正到2032年工具下载: 链接:https://pan.baidu.com/s/15ZWizWMJ-HuG7ObRCQZ5kw提取码:u7ta 与以前2020的Keygen一样,会被杀毒软件当作病毒隔离,可以先解除再使用
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摘要:一般 MCU 包含的存储空间有:片内 Flash 与片内 RAM,RAM 相当于内存,Flash 相当于硬盘。编译器会将一个程序分为好几个部分,分别存储在 MCU 不同的存储区。Keil 工程在编译完之后,会有相应的程序所占用的空间提示信息,如下所示:Program Size: Code=12266
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摘要:在嵌入式c中,往往采用串口打印函数来实现程序的调试,而在正式程序中一般是不需要这些打印代码的,通常做法是在这些调试用打印代码的前后设置一个宏定义块来实现是否启用这段代码,比如: 如果定义了USE_DEBUG,则打印起作用;否则上述代码块不会被编译。 但上述代码块存在一个问题,当需要打印的地方很多时,
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摘要:$Sub$$ 与 $Super$$ 的“补丁”功能(详见 ARM® Compiler v5.06 for µVision® armlink User Guide): 这是一种特殊模式:用于有一个已经存在且不能被改变的函数的情况(比如不能更改的库函数);使用这两个模式可以帮原函数打补丁,如存在一个函数
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摘要:大端模式,是指数据的高字节保存在内存的低地址中,而数据的低字节保存在内存的高地址中,这样的存储模式有点儿类似于把数据当作字符串顺序处理:地址由小向大增加,而数据从高位往低位放; 小端模式,是指数据的高字节保存在内存的高地址中,而数据的低字节保存在内存的低地址中,这种存储模式将地址的高低和数据位权有效
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摘要:推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件。 输出 0 时,N-MOS 导通,P-MOS 高阻,输出0。 输出 1 时,N-MOS 高阻,P-MOS 导通,输出1(不需要外部上拉电路)。 开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能
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摘要:进入“Options for Target”设置界面如下: 如图所示方框中输入: fromelf.exe --bin -o "$L@L.bin" "#L" 生成的bin文件与axf文件在同一目录下。
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摘要:在编写嵌入程序过程中,会经常性碰到程序跑飞的现象,而且一旦出现,编译器和调试工具也不能帮你确定代码问题和原因,程序猿们往往需要投入很多精力来琢磨每一处可能的代码问题,本篇主要通过列举常见的容易导致程序跑飞的情形,以帮助程序猿更好的避免和更有针对性分析,希望同行们也可以在评论中抛出自身在项目中的实际经
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摘要:__IO在头文件中预定义 #define __IO volatile volatile 影响编译器编译的结果, 指出:volatile 变量是随时可能发生变化的,与volatile变量有关的运算,不要进行编译优化,以免出错。 例如:__IO int i=10;int m = i;...int k =
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