随笔分类 - INNVOUS
innvous command related info
UPF set_port_attribute
摘要:『set_port_attribute』, 在IEEE 1801-2015 中该命令定义如下,不是所有的工具都支持所有的option: 这个命令用于描述port 在『未知』区域的power 连接情况,如top 的input port 是由哪个电压域的cell驱动,output port 的输出将驱动
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动态 功耗优化
摘要:https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzUzODczODg2NQ==&mid=2247484666&idx=1&sn=1f3a7301f556468bc1cb0f222a8965e6&chksm=fad26d24cda5e432b8cc785ab56ddfbc73a10
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功耗 报告
摘要:Power是衡量数字芯片性能的三大指标之一,从整个设计流程看,越早考虑功耗收益越大,在系统架构级一个微小调整所减少的功耗,也许可以使实现工程师眼圈轻两个色度。因此早期功耗评估显得格外重要,于实现工程师而言,即是:RTL级功耗分析,世面上有多个RTL功耗分析工具,而当红新宠非Joules莫属。 传统R
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Analog power pin UPF defination
摘要:在一个analog macro端口上,有些pin是always on的,有些是shut down的,如何描述这些pin的power属性?这是一个常见问题,驴就此机会大致描述一下常见的做法。对于这个问题,UPF2.0跟UPF2.1有不同的处理方式。 UPF2.0, IEEE1801-2009,因为mo
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动态功耗计算
摘要:CMOS管功耗 = 动态功耗 + 静态功耗 动态功耗有两种表述,两种表述的区别之处在于:把对管子内部电容充放电消耗的功耗归于谁,第一种表述常见于理论分析,第二种表述常见于EDA工具功耗计算。 第一种表示: 动态功耗 = 开关功耗 + 短路功耗 动态功耗 = 开关功耗 + 短路功耗 开关功耗:指管子在
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静态功耗 计算
摘要:大概在遥远的90nm之前,leakage power在library里确实是被描述成一个常值的。但从90nm开始,为了更加精确,library里的leakage power不再是个常值了,而是被模拟成一个输入状态的函数。所以基础还是library,在一个library里跟leakage相关的变量大致
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论STA | 工艺、工具、分析的本与末
摘要:人类从漫长的蒙昧中觉醒之后,不再依靠着奇装异服的巫师通灵来指导生活,巫师进化成了科学家,他们试图对周遭的一切进行概括、分类、抽象,于是有了化学、物理、数学等基科。比如一粒沙,它的化学组成是什么,物理特性是什么,可抽象成什么样的数学公式。 用沙子做成的芯片亦如此,从设计实现到生产制造,每一步的背后都是
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论STA | POCV/SOCV 对lib 的要求 (4)
摘要:在芯片制造过程中的工艺偏差由global variation 和local variation 两部分组成。 在集成电路设计实现中,global variation 用PVT 跟 RC-corner 来模拟;local variation 用 OCV/ AOCV/ SOCV 来模拟。 在40nm 之
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论STA | SOCV / POCV 之 variation (2)
摘要:芯片制造涉及到许多复杂重复的过程,如:光刻、蚀刻、离子注入、扩散、退火。而且都是原子级操作,尽管控制非常严格,但偏差不可避免。 工艺偏差会导致芯片物理参数偏差,如:线宽、沟道掺杂浓度、线厚、临界尺寸、栅氧厚度; 而物理参数偏差会导致电特性参数偏差,如:线的电容电阻、阈值电压、饱和电流、栅极电容; 电
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SOCV / POCV 模型 (3)
摘要:STA无疑是数字集成电路设计实现方法学中最『漂亮』的模型之一,但是随意着工艺进步,local varition 的随机性及重要性增加,传统STA 的局限性日渐突出。大概在十五年前,SSTA成了一个研究热点,相较于传统的STA,SSTA 不再是针对单一的timing 进行分析,它的分析结果是一个统计分
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STA之AOCV
摘要:为什么要引入AOCV 为了精确性,为了剔除悲观度。用set_timing_derate来设置OCV,对于一个固定的corner,只能对data/clock, cell/net, late/early分别设不同的值,由下图可知,这个值是个trade off的结果,在保证yield的前提下,尽量不那么悲
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STA之OCV
摘要:Timing sign-off Corner = library PVT +RC Corner + OCV 针对每个工艺结点,foundry都会给出一张类似的timing sign-off表格,定义了所有需要做timing sign-off的corner(实际需要sign-off的corner还需要
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STA之RC网
摘要:STA的主要工作是计算电路网络的延时,如今的电路网络还是由CMOS cell和net组成的,所以STA所要计算的延时仍是电容的充放电时间。等量子计算机普及的时候,如今的这一套理论都将随着科技的进步被丢到故纸堆里。在量子计算机君临之前,如今的天下还是CMOS的,所以要搞STA,首先需要明白如何计算CM
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SOCV/POCV 开篇 (1)
摘要:1.功能:模拟工艺偏差对芯片性能的影响 2. 40nm之前 flat derate模型可以基本覆盖大部分情况 3.AOCV (Adance OCV) 考虑distance 和depth的影响。 AOCV table背后已经有统计学的支撑,即SSTA(statistical static timing
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SCAN CHAIN
摘要:https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzUzODczODg2NQ==&mid=2247485270&idx=1&sn=df1034f318f5954a99d33978176516da&chksm=fad26e88cda5e79eec77a163724dfae43f2ba
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Innovus update_io_latency
摘要:在Innovus中从ccopt 后的timing report中可以看到clock delay是从负值开始算起的,这个是因为在ccopt过程中进行了的update latency的动作。 基于block level的设计进行分析,假设在sdc中对clock 没有设置source&network la
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report_delay_calculation/check_timing/report_annotated_parasitics/report_analysis_coverge
摘要:如何debug 一颗cell 或一段net 的delay, 常用的办法是用report_delay_calculation 报这颗cell 或这段net, 会得到形式如下的report, 从该report 中可以得到: 表头需要特别关注的是command, 确定report 的对象及加的option
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读懂timing report
摘要:三部分:表头/launch path /capture path 1.表头 1) 工具版本信息:如示例中的18.10-p001,对某个具体项目timing signoff 工具的版本最好保证一致; 操作系统信息:这一项无关紧要。 生产日期:这一项还是有看一下的必要,避免低级错误,哼哧哼哧debug
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CRPR/CPPR
摘要:S CRPR clock reconvergence pessimism removal C CPPR clock path pessimism removal 剔除公共clock path上的悲观度。 看图说话,上图是最常见最基本的一条timing path: 有launch clock path
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ILM --interface logic model
摘要:1.描述接口逻辑的模型。 2.包括 netlist spef sdc def 3.所有以上文件只描述和接口相关的逻辑,其他逻辑一概排除 3.用于STA/PR/DC的hierachical flow,相对于ETM model,更精确,ETM 只包含接口的timing arc信息,无法精确的进行cros
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