2017年5月10日
摘要:
flash:Flash,是内存(Memory)的一种,但兼有RAM和ROM, 分为NOR Flash 和 NADN Flash两种不同的flash,分别用在不同的场合,不同于SRAM(EEPROM),FLASH的操作是靠一系列指令完成,以扇区sector进行整体操作 NORflash:主要用来存储代
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posted @ 2017-05-10 13:41
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摘要:
一引子 :需要大量存储数据时,一般都不会使用单片机内部存储资源(单片机内部的eerom或者flash模拟eeprom只适合存储少量的数据)。一般是通过I2C/SPI接口外部扩展eeprom或者flash,这类器件存储空间都很大能满足大部分的数据存储要求。 二 存储器件内部空间的划分:根据存储IC的容
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posted @ 2017-05-10 09:33
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2017年4月27日
摘要:
1根据各任务的周期执行时间确定轮询间隔,注意(轮询时间间隔只能比任务执行时间稍长,但一定不能断) 2 用一个定时器,基准定时为各任务的最小公倍数;软件计数器累加从而触发各任务标志(对任务进行字节编码) 3主函数中分别操作:Toggle_Task();//设置各标志,这里可以是非时间触发的事件 sle
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posted @ 2017-04-27 16:25
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摘要:
转自 用C语言实现状态机设计模式
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posted @ 2017-04-27 16:12
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/*根据http://www.cnblogs.com/autosar/archive/2012/06/22/2558604.html整理*/typedef int State; /*状态*/typedef int Condition;/*事件*/#define STATES (3 + 1) /*总共
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posted @ 2017-04-27 16:07
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2017年4月17日
摘要:
PDF:https://datasheets.maximintegrated.com/en/ds/MAX713SWEVKIT.pdf http://www.ixueshu.com/document/bac91dcb8dafd412318947a18e7f9386.html 可编程电池个数、充电时间、
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posted @ 2017-04-17 17:19
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摘要:
NUP2201MR:双总线保护IC(瞬态抑制二极管),常用于USB总线的保护。
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posted @ 2017-04-17 14:43
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LSP5513:宽范围高效的DC-DC(输入:4.5~27V;输出0.925~24V,3A),输出电流达3A
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posted @ 2017-04-17 14:28
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摘要:
74HC14D:6反向施密特触发器:延迟特性,反向特性,整形特点。 施密特触发器是具有特殊功能的非门,当加在它的输入端A的电压逐渐上升到某个值时(正阈值电压),输出端Y会突然从高电平跳到低电平,而当输入端A的电压下降到另一个值时(负阈值电压),Y会从低电平跳到高电平。
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posted @ 2017-04-17 14:25
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2017年4月14日
摘要:
一字符数组和字符指针: 字符指针可以用字符串对其直接初始化和随时赋值;而字符数组可以用字符串进行初始化,但不能用字符串对其进行随时赋值(但此时可以定义一个字符串指针指向字符数组,然后用字符串对指针随时赋值) 如 char*p="helloword"; p="你好"; 可以char a[10]="he
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posted @ 2017-04-14 23:59
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