NAND存储结构

转载：https://blog.csdn.net/llzhang_fly/article/details/87479446

nand flash结构

 nand flash存储结构为：一个flash由许多个block组成，一个block由很多个page组成，一个page又是由有效个数据区和spare area区(即obb区)---这个spare area就是冗余区域

 如上图flash有1024个block，一个block有64个怕个，一个page有2kbytes的有效数据+64bytes的obb数据。
我们通常计算nand flash容量大小为:总数的block数一个block中的page数一个page中的有效数据区。

oob区为特殊数据，用作硬件纠错和坏块管理的。

擦操作最小单位为一个block，读写操作最小单位为一个page

 坏块是指在nand flash中出现某些flash区域不能进行擦写操作，我们称这样的一个单位区域为一个坏块。而由于nand flash中的读和写操作是以page为单位，擦除是以block为单位，且写操作前必须要先进行擦除操作。，因此，一个最小的可操作单位即为一个block。而整个block中产生任何不可修复的位错误，我们认为这个块是坏块。

坏块的产生

 由于nand flash的工艺不能保证nand的memory array在其生命周期中保持性能的可靠性，因此在生产和使用过程中会产生坏块，nand flash在出厂阶段就会有某些概率出现坏块的现象，我们称为固有坏块，一般都会在出厂时将每个坏块第一个page的spare area区第6个byte标记为不等于oxff的值用作标记。另外在使用过程中如果block erase或page program错误，就可以将这个块作为坏块处理，需要把坏块标记起来，标记方式和固有坏块标记位置和方式统一。

坏块的管理

每个块都会在一个page的oob区第6个字节标记这个块是否为坏块的信息，如果在擦除一个块之前，check到第一个page的oob区的第6个字节非oxff，就表示为坏块不能进行擦除操作，以免将坏块标记擦除。如果在操作过程中出现新的坏块，应及时标记坏块，更新坏块表。

ECC

 ECC的全称是Error Checking and Correction, NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出 错。一般使用一种比较专用的校验——ECC。ECC能纠正单比特错误和检测双比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的 错误不保证能检测。

OOB

 OOB(out of band),即通常所说的spare area区,nand flash中每个page后都有一个oob区域，用于存放硬件ecc校验码、坏块标记、和文件系统的组织信息，主要用于硬件纠错和坏块处理。一般page大小为512字节的nand 每页分配16字节的oob；如果为2k的page，则每个page分配64字节的oob.

 oob区中用1或2个字节来标志一个block是否为坏块，如果这1或2个字节的内容是0xff，就说明这个block是好块，否则为坏块。对于small page（每页512字节）的芯片，坏块信息存储在每个block的第一个page的oob的第6个字节中，而big page（每页2k个字节）的芯片，坏块信息存储在每个block的第一个page的oob的第1和第2个字节中。