[置顶] 飞士德驱动板研究
摘要： 2FHD0115C资料 数字隔离芯片 阅读全文
posted @ 2026-03-16 13:48 lingo2124 阅读(2) 评论(0) 推荐(0)
2026年3月2日
电力电子概述
摘要： 电力电子概述 阅读全文
posted @ 2026-03-02 11:38 lingo2124 阅读(1) 评论(0) 推荐(0)
2026年1月7日
增强型、耗尽型MOS;IGBT、MOS;MOS与碳化硅MOS
摘要： 碳化硅MOSFET、硅MOSFET及IGBT的优缺对比_碳化硅和igbt优缺点-CSDN博客 SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别 - 知乎 一、碳化硅MOSFTE与MOS相比优点 1.1、高工作频率 传统MOSFET工作频率在60KHZ左右，而碳化硅MOSFET在1MHZ 阅读全文
posted @ 2026-01-07 18:51 lingo2124 阅读(41) 评论(0) 推荐(0)