不同半导体存储类型的区别

存储类型	是否掉电保存	典型读写单位	是否需要擦除	典型擦除单位	主要特点
SRAM	否	字节/字	否	无	速度快、无需刷新、容量较小
PSRAM	否	字节/字，内部突发传输	否	无	内部类似 DRAM，对外模拟 SRAM 接口
DRAM/SDRAM	否	字节/字，按 burst 访问	否	无	需要刷新，容量大
DDR/LPDDR	否	Cache line/burst	否	无	高带宽系统内存
Mask ROM	是	只读	不可写	无	出厂固化
OTP/eFuse	是	位/字	不可擦除	无	只能编程一次，存密钥和配置
EEPROM	是	字节或小页	通常由芯片内部完成	通常不可见	可小粒度改写，速度较慢
SPI NOR Flash	是	常见 256 B 编程页	是	常见 4 KB/32 KB/64 KB	适合代码执行、固件和文件系统
并行 NOR Flash	是	字节/字或写缓冲	是	Sector/Block	可随机读取、支持 XIP
Raw NAND Flash	是	常见 2～16 KB Page	是	数百 KB～数 MB Block	容量大，需要 ECC、坏块管理和 FTL
SPI NAND Flash	是	常见 2～4 KB Page	是	常见 128～512 KB Block	串行接口的 Raw NAND
SD/SD NAND	是	逻辑扇区 512 B/4 KB	控制器内部处理	对应用隐藏	内部通常是 NAND+控制器
eMMC/UFS	是	逻辑扇区 512 B/4 KB	控制器内部处理	对应用隐藏	管理型 NAND，带 FTL、ECC、磨损均衡
SSD/U 盘	是	逻辑块 512 B/4 KB	控制器内部处理	对应用隐藏	NAND+主控，通过 SATA/NVMe/USB
FRAM	是	字节/字	否	无	高耐久、低延迟、容量较小
MRAM	是	字节/字	否	无	非易失、速度接近 RAM、成本较高
ReRAM/PCM	是	依器件而定	通常不使用传统块擦除	依器件而定	新型非易失存储
电池备份 SRAM	条件保存	字节/字	否	无	依赖备用电源保持数据

其他存储介质

类型	典型访问单位	是否需要显式擦除
HDD	512 B 或 4 KB 扇区	否，可直接覆盖
磁带	顺序数据块	否，通常顺序覆盖
CD/DVD-ROM	只读	不可写
可擦写光盘	光盘扇区	由驱动器管理