11 2025 档案
摘要:一、工业场景并联应用的必要性 在工业自动化领域,单颗MOS管难以满足大功率电机驱动、通信电源等高电流场景需求。某品牌伺服驱动器实测数据显示,当输出电流超过30A时,单管导通损耗急剧上升,结温超出安全裕度。并联方案可将电流分摊至多个器件,某工业机器人控制器采用3颗MOS管并联后,功率密度提升2.1倍,
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摘要:一、典型失效模式分析 案例1:通信端口保护失效 某路由器网口雷击后PHY芯片损坏,TVS外观无异常。拆解分析发现: TVS焊盘距离芯片15mm 接地走线宽度仅0.2mm 浪涌电流在走线电感上产生30V压降 根本原因:布局不符合"最短路径"原则,TVS实际钳位效果降低40%。 案例2:电容过大导致信号
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摘要:一、市场规模与增长驱动 2024年全球车规TVS市场规模约12亿美元,预计到2030年将增长至20亿美元,年复合增长率约8.5%。核心驱动力来自新能源汽车渗透率提升与汽车电子化程度加深。传统燃油车TVS用量约30颗/车,新能源车增至80-120颗/车,单车价值量从15美元提升至40美元。据行业统计,
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摘要:TVS管与ESD保护管常被混淆,但二者在响应速度、能量承受能力与应用场景上存在本质差异。科学构建协同防护体系,是EMC设计的进阶要求。
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摘要:一、漏电流异常的技术表征与失效机理 三极管端口漏电流偏大是硬件调试中典型且隐蔽的失效模式。根据实测数据分析,当集电结反向漏电流ICBO超过器件规格书标称值的150%时,即判定为异常状态。这种异常并非器件完全失效,但会导致电路静态功耗上升、工作点漂移、高阻抗节点误判等问题。 漏电流增大的核心机理包含本
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摘要:一、USB接口整改典型路径 LED灯条控制器在USB接口±4kV接触放电测试中出现灯灭需断电恢复。初步排查发现已安装三颗ESD抑制器,但金属外壳与系统地间串联电容形成隔离。去掉电容并直接短接后,测试通过率提升至80%。进一步在信号线加装ASIM C系列磁珠后,极小概率死机现象消除,达到IEC 610
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摘要:一、行业痛点:传导发射超标问题 根据2023年IEEE EMC Symposium会议论文统计,新能源设备EMC测试失败案例中,42%源于共模干扰。 典型案例 某500kW直流快充桩在CISPR 22传导测试时,150kHz-1MHz频段超标12dBμV,峰值达79dBμV(限值67dBμV)。故障
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摘要:一、技术发展趋势 MOS管技术正经历从平面结构向超结(Super Junction)的演进。超结技术通过引入垂直方向的P柱结构,在保持高耐压的同时将导通电阻降低60%以上,600V器件的Rds(on)×Area指标已从传统结构的1Ω·mm²降至0.4Ω·mm²以下。这一突破使得高压MOS管在效率上可
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摘要:如何选择EMC解决方案服务商:技术能力与评估维度的完整指南 在电子设备研发过程中,电磁兼容性(EMC)问题已成为影响产品上市周期的关键瓶颈。国际权威机构统计表明,38%的电子设备首次EMC测试不合格,单次认证失败可导致研发成本增加25%-40%。面对5G设备辐射超标、工业控制系统瞬态抗扰度不足、车载
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摘要:一、ESD威胁的现实性 静电放电(ESD)是电子产品全生命周期中不可避免的瞬态威胁。IEC 61000-4-2标准定义的接触放电最高可达±8kV,而实际生产环境中±15kV的静电击打屡见不鲜。某智能手表项目因ESD防护不足导致30%产品出现触控失灵,直接损失超百万元。防护失效的核心原因,往往是ESD
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摘要:本次来我司整改产品护手仪,外壳为塑料,测试点为充电pogo+和充电pogo-。按IEC/EN61000-4-2标准测试静电后关机,以下为测试数据: 一、整改前数据: 整改方案: 1.在网络P9,RST对地并联ESD(型号:阿赛姆ESD5D150TA),如下图: 2.在网络IR-CONTRUL,IR-
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摘要:无线蓝牙耳机因其便携性和舒适性使它现在成为了人们日常生活中不可或缺的伴侣。 一、客户需求: 1.测试需要通过接触放电±6KV,空气放电10KV。 2.不能改PCB布局,外壳结构与外观。 3.采取最低成本整改 二、整改前测试 测试异常现象:样机在测试中关机,需要人为按开关机按键启动。 三、故障排除与现
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摘要:快充协议下同步整流MOS管优化策略(基于USB PD与QC标准) 随着快充技术向大功率、高密度发展,同步整流MOS管的性能直接决定了充电器的效率、体积和可靠性。为满足USB PD和QC等协议的动态要求,其选型与设计必须遵循系统化的优化策略。 一、快充协议特性与能效要求 快充协议的核心是动态调整输出电
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