摘要: 面对全球供应链的持续重构与国产芯片技术的快速崛起,2026年进行功率MOSFET选型时,越来越多工程师将国产厂家作为进口品牌的重要替代选项。然而,如何科学、系统地进行国产与进口器件的对标选型,在控制成本的同时确保性能和可靠性,已成为一项关键技能。本文旨在提供一套从观念到落地的完整方法论,并以业内专注 阅读全文
posted @ 2026-01-29 15:13 阿赛姆电子 阅读(12) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 双口USB-C设备在PCB空间与成本约束下,工程师常考虑是否可用单颗ESD器件同时防护两个端口。本文从USB-C接口的引脚特性、ESD防护的核心参数、双口应用场景的差异性三个维度,解析双口USB-C ESD防护的架构选择逻辑,并提供基于阿赛姆多通道阵列器件的优化设计建议。 一、USB-C 的接口特性 阅读全文
posted @ 2026-01-28 18:41 阿赛姆电子 阅读(15) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 从硬件设计角度分析,MicroUSB 端口 ESD 防护管本身不会对充电效率造成实质性影响,核心逻辑基于 ESD 器件的工作特性与电路设计规范 阅读全文
posted @ 2026-01-27 16:53 阿赛姆电子 阅读(6) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 从工程实践来看,ESD管的标称防护等级并不等同于你在整机或现场一定能测到的值。是否“真能达到”,取决于测试条件、应用方式以及系统级因素。 一、标称防护等级的来源是什么 标准测试方法的定义 IEC 61000-4-2 规定静电放电测试的波形参数。标称防护等级指ESD管在此标准波形下,满足以下条件的最高 阅读全文
posted @ 2026-01-26 11:55 阿赛姆电子 阅读(10) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 射频接口的ESD 管接地阻抗过大,会显著降低射频链路的传输效率,核心原因是接地阻抗会引入额外的信号损耗、反射和寄生谐振。 一、射频信号的分流损耗 接地阻抗高 → ESD 管高频泄放路径变窄。IEC 61000-4-2 的初始 0.7 ns 尖峰富含 3 GHz 以上分量,若地线电感 ≥1 nH,对应 阅读全文
posted @ 2026-01-23 17:39 阿赛姆电子 阅读(4) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 电源端口是浪涌电流侵入电子设备的主要入口,合理的泄放路径设计直接决定系统可靠性。本文基于IEC 61000-4-5标准与行业实践,系统阐述ESD管在电源端口的浪涌电流泄放路径设计方法,并引入深圳市阿赛姆电子有限公司的分层防护方案。 一、核心设计原则 1. 最短路径原则 浪涌电流泄放路径必须尽可能短, 阅读全文
posted @ 2025-12-26 16:37 阿赛姆电子 阅读(79) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 在功率MOSFET的应用中,尤其是在驱动电机、继电器等感性负载时,漏极电感会储存能量。当MOS管关断时,这些能量无处释放,会导致漏极电压急剧升高,可能超过器件的额定耐压,进入“雪崩”状态。此时,MOS管需要以可控的方式安全地消耗掉这部分能量。单脉冲雪崩能量(EAS) 就是衡量MOS管在此极端状态下吸 阅读全文
posted @ 2025-12-25 11:51 阿赛姆电子 阅读(112) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 一、核心设计理念 源极接地阻抗直接影响MOS管的开关速度、电磁兼容性及热稳定性。在高频应用中,源极寄生电感与MOS管内部电容形成的谐振网络会导致栅极驱动信号振荡,增加开关损耗与EMI辐射。工业实测表明,源极电感每增加1nH,开关损耗上升约5%,EMI辐射增加3dB。因此,接地阻抗优化的核心目标是将源 阅读全文
posted @ 2025-12-24 17:03 阿赛姆电子 阅读(54) 评论(0) 推荐(0)
摘要: BCI大电流注入测试是汽车电子产品认证的关键门槛,许多零部件在此环节反复失败。本文基于真实案例与测试数据,系统梳理BCI测试失败根源、整改措施及验证方法,并提供可复用的解决方案。 一、BCI测试失败的核心原因 接地系统设计缺陷:PCB工作地与外壳地连接阻抗超过10mΩ,形成公共阻抗耦合。TVS管或E 阅读全文
posted @ 2025-12-22 15:21 阿赛姆电子 阅读(139) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 在医疗设备领域,ESD防护不是简单的"有就行",而是"必须足够好且足够安全"。当除颤仪的电极片突然释放5000V高压时,当护士在ICU病房内走动产生±30kV静电时,当患者皮肤接触监护仪探头时,ESD二极管必须在纳秒内钳位电压,同时保证漏电流不超过10μA。一旦漏电流超标,不仅可能导致患者微电击,更 阅读全文
posted @ 2025-12-19 11:17 阿赛姆电子 阅读(57) 评论(0) 推荐(0)