12 2025 档案
摘要:BCI大电流注入测试是汽车电子产品认证的关键门槛,许多零部件在此环节反复失败。本文基于真实案例与测试数据,系统梳理BCI测试失败根源、整改措施及验证方法,并提供可复用的解决方案。 一、BCI测试失败的核心原因 接地系统设计缺陷:PCB工作地与外壳地连接阻抗超过10mΩ,形成公共阻抗耦合。TVS管或E
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摘要:在医疗设备领域,ESD防护不是简单的"有就行",而是"必须足够好且足够安全"。当除颤仪的电极片突然释放5000V高压时,当护士在ICU病房内走动产生±30kV静电时,当患者皮肤接触监护仪探头时,ESD二极管必须在纳秒内钳位电压,同时保证漏电流不超过10μA。一旦漏电流超标,不仅可能导致患者微电击,更
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摘要:ESD(静电放电)导致的重启、死机等软性故障,是电子产品EMC整改中最棘手的问题之一。与硬失效(器件物理损坏)不同,软性故障具有隐蔽性、随机性和难以复现的特点——设备在ESD测试时偶尔重启,但重新上电后功能正常,用万用表、示波器常规手段难以捕捉到异常。某工业控制器在产线测试时,ESD放电后死机概率仅
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摘要:一、并联MOS管寄生振荡的核心成因 1.1 寄生参数谐振机制 并联MOS管工作时,器件内部的寄生电容(Cgd、Cgs、Cds)与PCB走线、键合线引入的寄生电感(Lg、Ls、Ld)共同构成RLC谐振回路。当开关瞬态期间的dv/dt或di/dt激励该回路时,若品质因数Q值过高,将在栅极回路中产生50M
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摘要:一、磁珠概述 磁珠(Ferrite Bead)是由铁氧体材料制成的被动电子元件,外形通常呈小球状或片状结构。其核心材料为铁、镍、锌氧化物混合而成的铁氧体,具有高电阻率和高磁导率特性,专门用于抑制信号线和电源线上的高频噪声及尖峰干扰,同时具有吸收静电放电脉冲的能力。 与常规电感不同,磁珠在电路中的功能
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摘要:浪涌(Surge)和电快速瞬变脉冲群(EFT)是两种常见的传导性瞬态干扰,测试标准分别为GB/T 17626.5/IEC 61000-4-5和GB/T 17626.4/IEC 61000-4-4。它们模拟电网中的开关动作、雷击感应等产生的高能量脉冲。 浪涌(Surge)测试: 波形:采用1.2/50
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摘要:2025年市场监管总局抽查数据显示,因器件选型不当导致的EMC整改失败占比达43%。早期介入与正确选型可使后期成本降低60%以上。 一、关键器件参数规范 ESD保护器件 以ASIM CV0402VT6201T为例,选型需满足: 工作电压与被保护电路匹配,6V规格适配5V电平 钳位电压低于芯片耐受值5
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摘要:传导发射(Conducted Emission, CE)与浪涌(Surge)抗扰度问题,主要聚焦于能量通过电源线或信号线"传导"进入或离开设备。这两类问题虽然测试方法和频率不同(CE关注150kHz-30MHz的连续噪声,Surge关注瞬态高压大电流),但其整改思路都始于对"路径"的深刻理解,尤其是
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摘要:作为嵌入式硬件工程师,我们每天都在与信号的完整性(SI)和电磁兼容性(EMC)进行无声的较量。尤其是在集成USB、MIPI、LVDS等高速接口的嵌入式核心板上,一个看似不起眼的元件——共模电感(Common Mode Choke, CMC),其选型得当与否,往往直接决定了产品能否一次性通过EMC测试
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摘要:ESD管作为静电保护的核心器件,其技术原理远比表面规格书复杂。深入理解其工作机制,是避免选型错误和失效分析的基础。本文基于半导体物理和行业实测数据,完整解析ESD管的技术实现路径。 PN结反向击穿机制的技术实现 ESD管本质上是特殊设计的齐纳二极管或TVS二极管,其核心结构为PN结。当静电电压超过反
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摘要:传统ESD管主要用于USB、HDMI等接口,但随着5G、物联网、可穿戴设备发展,ESD保护面临全新挑战。本文剖析三个典型新兴场景的技术难点与阿赛姆的解决方案。 场景一:5G毫米波天线端口的ESD保护 5G毫米波频段覆盖24GHz-40GHz,传统ESD管在此频段呈现高插损,严重影响天线效率。某5G小
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摘要:mos管品牌阿赛姆:MOS管应用选型指南 MOS管应用选型,参数匹配不当直接导致失效。Rdson需考虑高温漂移,125℃时数值比25℃标称高40%-60%。Vgs(th)阈值电压影响低温启动,-40℃车规环境需验证驱动余量。Qg栅极电荷决定开关损耗,高频应用过大则驱动能力不足。trr反向恢复时间影响
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摘要:电子设备日趋小型化,对元器件的体积提出了极致要求。表面贴装(SMD)整流二极管如何选型?本文从封装、热管理和焊接工艺角度,结合阿赛姆(ASIM)的小封装产品,提供详细指南。 一、行业热点:为何SMD二极管选型越来越复杂? 智能穿戴设备、TWS耳机、IoT传感器等产品的流行,使得PCB板空间寸土寸金。
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