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MBR16200CT-ASEMI半塑封肖特基二极管MBR16200CT
摘要：编辑：ll MBR16200CT-ASEMI半塑封肖特基二极管MBR16200CT 型号：MBR16200CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 特性：肖特基二极管 正向电流：16A 反向耐压：200V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：102MIL 浪涌电流：200A 阅读全文
posted @ 2022-11-22 13:20 ASEMI首芯 阅读(35) 评论(0) 推荐(0)
MBR15200FAC-ASEMI塑封肖特基二极管MBR15200FAC
摘要：编辑：ll MBR15200FAC-ASEMI塑封肖特基二极管MBR15200FAC 型号：MBR15200FAC 品牌：ASEMI 封装：ITO-220AC 正向电流：15A 反向电压：200V 引线数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：95MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：175 阅读全文
posted @ 2022-11-21 15:57 ASEMI首芯 阅读(30) 评论(0) 推荐(0)
MBR15200AC-ASEMI半塑封肖特基二极管MBR15200AC
摘要：编辑：ll MBR15200AC-ASEMI半塑封肖特基二极管MBR15200AC 型号：MBR15200AC 品牌：ASEMI 封装：TO-220AC 特性：肖特基二极管 正向电流：15A 反向耐压：200V 恢复时间：5ns 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：95MIL 浪涌电流：175A 阅读全文
posted @ 2022-11-21 15:39 ASEMI首芯 阅读(43) 评论(0) 推荐(0)
SB40100LCT-ASEMI半塑封肖特基二极管SB40100LCT
摘要：编辑：ll SB40100LCT-ASEMI半塑封肖特基二极管SB40100LCT 型号：SB40100LCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 正向电流：40A 反向电压：100V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：120MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：300A 阅读全文
posted @ 2022-11-18 09:59 ASEMI首芯 阅读(49) 评论(0) 推荐(0)
MBR10200FAC-ASEMI塑封肖特基二极管MBR10200FAC
摘要：编辑：ll MBR10200FAC-ASEMI塑封肖特基二极管MBR10200FAC 型号：MBR10200FAC 品牌：ASEMI 封装：ITO-220AC 特性：肖特基二极管 正向电流：10A 反向耐压：200V 恢复时间：5ns 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：95MIL 浪涌电流：17 阅读全文
posted @ 2022-11-18 09:38 ASEMI首芯 阅读(33) 评论(0) 推荐(0)
MBR10200AC-ASEMI半塑封肖特基二极管MBR10200AC
摘要：编辑：ll MBR10200AC-ASEMI半塑封肖特基二极管MBR10200AC 型号：MBR10200AC 品牌：ASEMI 封装：TO-220AC 正向电流：10A 反向电压：200V 引线数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：86MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：125A 芯 阅读全文
posted @ 2022-11-17 10:29 ASEMI首芯 阅读(50) 评论(0) 推荐(0)
SB20100LFCT-ASEMI塑封肖特基二极管SB20100LFCT
摘要：编辑：ll SB20100LFCT-ASEMI塑封肖特基二极管SB20100LFCT 型号：SB20100LFCT 品牌：ASEMI 封装：ITO-220AB 特性：肖特基二极管 正向电流：20A 反向耐压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：82MIL 浪涌电流：17 阅读全文
posted @ 2022-11-17 09:38 ASEMI首芯 阅读(95) 评论(0) 推荐(0)
SBT40100VFCT-ASEMI肖特基二极管SBT40100VFCT
摘要：编辑：ll SBT40100VFCT-ASEMI肖特基二极管SBT40100VFCT 型号：SBT40100VFCT 品牌：ASEMI 封装：ITO-220AB 正向电流：40A 反向电压：100V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：120MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：2 阅读全文
posted @ 2022-11-16 16:13 ASEMI首芯 阅读(96) 评论(0) 推荐(0)
SB30100LCT-ASEMI肖特基二极管SB30100LCT
摘要：编辑：ll SB30100LCT-ASEMI肖特基二极管SB30100LCT 型号：SB30100LCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 特性：肖特基二极管 正向电流：30A 反向耐压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：94MIL 浪涌电流：200A 漏电流 阅读全文
posted @ 2022-11-16 15:40 ASEMI首芯 阅读(80) 评论(0) 推荐(0)
SB20100LCT-ASEMI低压降肖特基二极管SB20100LCT
摘要：编辑：ll SB20100LCT-ASEMI低压降肖特基二极管SB20100LCT 型号：SB20100LCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 正向电流：20A 反向电压：100V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：82MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：175A 芯 阅读全文
posted @ 2022-11-15 14:35 ASEMI首芯 阅读(157) 评论(0) 推荐(0)
SBT40100VCT-ASEMI肖特基二极管SBT40100VCT
摘要：编辑：ll SBT40100VCT-ASEMI肖特基二极管SBT40100VCT 型号：SBT40100VCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 特性：肖特基二极管 正向电流：40A 反向耐压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：120MIL 浪涌电流：250A 阅读全文
posted @ 2022-11-15 11:43 ASEMI首芯 阅读(47) 评论(0) 推荐(0)
SBT30100VCT-ASEMI低压降肖特基二极管SBT30100VCT
摘要：编辑：ll SBT30100VCT-ASEMI低压降肖特基二极管SBT30100VCT 型号：SBT30100VCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 正向电流：30A 反向电压：100V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：94MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：200 阅读全文
posted @ 2022-11-11 11:30 ASEMI首芯 阅读(125) 评论(0) 推荐(0)
SBT10100VCT-ASEMI肖特基二极管SBT10100VCT
摘要：编辑：ll SBT10100VCT-ASEMI肖特基二极管SBT10100VCT 型号：SBT10100VCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 特性：肖特基二极管 正向电流：10A 反向耐压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：58MIL 浪涌电流：150A 阅读全文
posted @ 2022-11-11 11:19 ASEMI首芯 阅读(46) 评论(0) 推荐(0)
MBR30100CT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR30100CT
摘要：编辑：ll MBR30100CT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR30100CT 型号：MBR30100CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 正向电流：30A 反向电压：100V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：122MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：200A 阅读全文
posted @ 2022-11-10 14:15 ASEMI首芯 阅读(142) 评论(0) 推荐(0)
MBR10200CT-ASEMI肖特基二极管MBR10200CT
摘要：编辑：ll MBR10200CT-ASEMI肖特基二极管MBR10200CT 型号：MBR10200CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 特性：肖特基二极管 正向电流：10A 反向耐压：200V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：86MIL 浪涌电流：150A 漏电流 阅读全文
posted @ 2022-11-10 13:37 ASEMI首芯 阅读(218) 评论(0) 推荐(0)
MBR40200PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR40200PT
摘要：编辑：ll MBR40200PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR40200PT 型号：MBR40200PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 正向电流：40A 反向电压：200V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：130MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：400A 芯片 阅读全文
posted @ 2022-11-09 10:23 ASEMI首芯 阅读(57) 评论(0) 推荐(0)
MBR30200PT-ASEMI肖特基二极管MBR30200PT
摘要：编辑：ll MBR30200PT-ASEMI肖特基二极管MBR30200PT 型号：MBR30200PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：低压降肖特基二极管 正向电流：30A 反向耐压：200V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：122MIL 浪涌电流：200A 漏 阅读全文
posted @ 2022-11-09 09:47 ASEMI首芯 阅读(193) 评论(0) 推荐(0)
SBT20100VDC-ASEMI贴片肖特基二极管SBT20100VDC
摘要：编辑：ll SBT20100VDC-ASEMI贴片肖特基二极管SBT20100VDC 型号：SBT20100VDC 品牌：ASEMI 封装：TO-263 正向电流：20A 反向电压：100V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：87MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：200A 芯 阅读全文
posted @ 2022-11-08 11:50 ASEMI首芯 阅读(70) 评论(0) 推荐(0)
SBT10100VDC-ASEMI超低压降、低功耗肖特基二极管
摘要：编辑：ll SBT10100VDC-ASEMI超低压降、低功耗肖特基二极管 型号：SBT10100VDC 品牌：ASEMI 封装：TO-263 特性：贴片低压降肖特基二极管 正向电流：10A 反向耐压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：62MIL 浪涌电流：150A 阅读全文
posted @ 2022-11-08 11:32 ASEMI首芯 阅读(162) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管
摘要：编辑：ll ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管 型号：IXYB82N120C3H1 品牌：IXYS/艾赛斯 封装：TO-264 最大漏源电流：82A 漏源击穿电压：1200V RDS（ON）Max：mΩ 引脚数量：3 特性：IGBT二极管 芯片个数： 沟道类型： 漏电流： 阅读全文
posted @ 2022-11-07 11:34 ASEMI首芯 阅读(219) 评论(0) 推荐(0)

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