随笔分类 - 二极管
摘要:编辑:ll ASEMI代理DSA300I100NA艾赛斯硅肖特基二极管 型号:DSA300I100NA 品牌:IXYS/艾赛斯 封装:SOT-227B 最大漏源电流:300A 漏源击穿电压:100V RDS(ON)Max:Ω 引脚数量:3 沟道类型: 芯片尺寸:MIL 漏电流: 特性:硅肖特基二极管
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摘要:编辑:ll ASEMI代理IXFK32N100P、IXYS/艾赛斯车规级MOS管 型号:IXFK32N100P 品牌:IXYS/艾赛斯 封装:TO-264 最大漏源电流:32A 漏源击穿电压:1000V RDS(ON)Max:320mΩ 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟
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摘要:编辑:ll ASEMI代理DSP25-12A、IXYS/艾赛斯整流二极管 型号:DSP25-12A 品牌:IXYS/艾赛斯 封装:TO-247 正向电流:25A 反向电压:1200V 引线数量:3 芯片个数:2 芯片尺寸:110MIL 漏电流:20ua 恢复时间:35ns 浪涌电流:175A 芯片材
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摘要:编辑:ll ASEMI代理LSIC1MO120E0080力特车规级MOS管 型号:LSIC1MO120E0080 品牌:LITTELFUSE/力特 封装:TO-247 最大漏源电流:25A 漏源击穿电压:1200V RDS(ON)Max:0.135Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸
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摘要:编辑:ll ASEMI代理LSIC2SD120A05-力特Sic肖特基二极管 型号:LSIC2SD120A05 品牌:LITTELFUSE/力特 封装:TO-220-2L 特性:Sic肖特基二极管 正向电流:5A 反向耐压:1200V 恢复时间:35ns 引脚数量:3 芯片个数:2 芯片尺寸:95M
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摘要:编辑:ll IPW65R150CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:IPW65R150CFDA 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:72A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.135Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电
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摘要:编辑:ll IPW65R110CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:IPW65R110CFDA 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:99.6A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.099Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N
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摘要:编辑:ll IPW65R080CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:IPW65R080CFDA 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:137A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.072Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏
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摘要:编辑:ll FCH041N65F安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:FCH041N65F 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:137A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管 漏
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摘要:编辑:ll NVHL040N65S3F安森美车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:NVHL040N65S3F 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:99.6A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏
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摘要:编辑:ll STW43NM60ND意法车规MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:STW43NM60ND 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:35A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管 漏
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摘要:编辑:ll STW78N65M5意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:STW78N65M5 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:69A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 特性:车规
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摘要:编辑:ll FGH40N60SMD安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:FGH40N60SMD 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:40A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管
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摘要:编辑:ll AIGW40N65H5英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:AIGW40N65H5 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:40A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 特性
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摘要:编辑:ll AIGW50N65H5英飞凌车规MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:AIGW50N65H5 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:50A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管
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摘要:编辑:ll DS145-16A艾赛斯车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:DS145-16A 品牌:ASEMI 封装:TO-247-2L 最大漏源电流:45A 漏源击穿电压:1600V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:2 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 特性
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摘要:编辑:ll STTH6010-Y意法半导体MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:STTH6010-Y 品牌:ASEMI 封装:TO-247-2L 最大漏源电流:60A 漏源击穿电压:1000V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:2 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS
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摘要:编辑:ll STTH30ST06-Y意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:STTH30ST06-Y 品牌:ASEMI 封装:TO-247-2L 最大漏源电流:30A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:2 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流
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摘要:编辑:ll STTH60RQ06-Y英飞凌MOS管、原装现货ASEMI代理 型号:ISL9R3060G2 品牌:ASEMI 封装:TO-247-2L 最大漏源电流:60A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:2 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS
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摘要:编辑:ll STTH1506DPI意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:STTH1506DPI 品牌:ASEMI 封装:TO-3P-2L 最大漏源电流:15A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:2 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 特
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