PMOS软启动设计+防反接电路

PMOS软启动设计+防反接电路

NP = Non-Polarized（无极性电容）

PMOS：高电平关断，低电平导通（简单理解）。

一、PMOS导通规则

P沟道MOS管导通条件：

引脚定义：

• S（源极）：接28V输入侧
• D（漏极）：接输出VCC_28V
• G（栅极）：经过R3接到R1、R2分压节点

二、正常上电工作流程

1. 上电瞬间：28V_IN输入28V直流电压

2. R1与R2串联分压：
   分压节点电压（栅极G电位）计算公式：
   
   源极S电位=28V
   栅源压差：
   
   压差绝对值远大于开启阈值（2~4V)，PMOS完全导通。

3. 电流通路
   28V_IN → PMOS(S→D) → VCC_28V 向后级输出稳定28V电压。

4. 电容作用

• 输入C4+C5：滤除输入低频纹波+高频毛刺，平稳输入电压；
• 输出三颗100nF陶瓷并联：抑制开关尖峰、高频噪声，电源纯净度更高；
• R3=33Ω：栅极限流，防止上电瞬间浪涌电流击穿MOS栅极。

功能1：电源防反接

示例：电源正负极接反（GND接到28V输入端，28V接到地）

1. 反接后：原28V_IN引脚电位=0V(GND)，下方GND引脚电位=28V

2. 此时R1上端电位=0V，R1、R2分压节点电位被拉高至接近9V

   

栅极G电位≈9V，源极S电位=0V
V_GS= 9 - 0= +9
PMOS栅源电压为正向电压，P沟道MOS彻底关断
电源通路被切断，后级电路完全没有电流流过，不会因反接烧毁芯片、元器件。

功能2：上电软启动+浪涌抑制

上电初期，输出侧电容C1/C2/C3需要充电，会产生瞬时大电流；
PMOS不会瞬间完全打开，缓慢导通，平缓给电容充电，削弱上电浪涌冲击，保护后端负载。