三极管是如何导电？

单片集成NPN三极管内部结构
N(发射区) — 极薄P(基区) — N(集电区)
本质是同一块硅片上连续的三层半导体，两个PN结共享同一片P型基区。
发射结正偏时，发射区注入电子进入P型基区；
因为基区宽度Wb << 电子在P区的少子扩散长度Ln，绝大多数电子来不及和基区空穴复合，直接扩散穿过基区，被反偏的集电结收集。
这就是三极管电流放大效应的物理基础。

两个独立二极管对接（外部焊在一起）
两个独立二极管：N1-P1、P2-N2，把P1与P2引脚导线相连。
关键：P1和P2是两块互相独立、物理分隔的P半导体，只是外部金属导线连通电势，不是同一块半导体！
即便电位相等，硅晶体互不连通。发射二极管注入到P1区的电子，无法穿过金属导线跳到另一片P2半导体，载流子不能在两个分立芯片之间扩散。

通俗比喻：
集成三极管：一条狭长走廊（薄基区），粒子可以直接走通；
两个二极管外接：两段隔离走廊，中间用一根电线连两端电压，粒子不能穿过电线。

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