2021年7月5日
Ground plane fin-shaped field effect transistor (GP-FinFET): A FinFET for low leakage power circuits
摘要： 摘要 探究了用Ground-Plane（接地平面技术）来制作的FinFET的物理特性，减小了源漏之间的连接电场，减小了DIBL效应 SOI-FinFETS的优点是：小的漏电流，小的源/漏体电容，更高的饱和电流，更好的亚阈值特性，对于衬底掺杂的敏感度更低 阅读全文
posted @ 2021-07-05 12:42 MengPlus 阅读(116) 评论(0) 推荐(0)
Predictive 3-D Modeling of Parasitic Gate Capacitance in Gate-all-Around Cylindrical Silicon Nanowire MOSFETs
摘要： 提出了GAA圆柱纳米线的寄生栅电容模型，源漏外延的区域也考虑进来，寄生栅电容分为四部分 阅读全文
posted @ 2021-07-05 10:14 MengPlus 阅读(152) 评论(0) 推荐(0)