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摘要： 一、技术背景 AI 芯片、高带宽存储驱动下，3D 堆叠 + 混合键合成为先进封装核心技术。 原理：两颗芯片铜焊盘、介质层面对面键合，垂直互连，互连路径最短、带宽最高。 痛点：键合界面微小缺陷即可造成整颗芯片直接报废。 二、主要失效模式、成因与危害 （一）对准偏移（Misalignment） 1、成因 阅读全文

摘要： 一、基础定义 柔性电子（柔性电路）是建立在柔性衬底之上的新型电子技术。 1、核心特征：将导电层、半导体层、介电层及各类功能器件，集成在可弯曲、可卷绕、可一定程度变形的基底材料上。 2、常见衬底材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚酰亚胺（PI）、纸基材料等。 3、行业定位：替代或补充传统刚性电路的 阅读全文

摘要： 一、核心结论 应变硅技术通过选择性外延生长引入晶格应力，提升载流子迁移率，不缩小晶体管尺寸即可提升芯片性能，是摩尔定律延续的关键技术。 二、应力来源：原子尺码不匹配 应力源于两种材料的原子尺寸差异，通过外延生长实现应力定向施加： 1、PMOS（空穴） 源漏区外延SiGe（锗硅），锗原子比硅大4.2% 阅读全文

摘要： 一、核心定义 光刻拉偏（FEM，Focus-Exposure Matrix）是光刻工艺中通过系统性微调曝光参数，寻找电路图案最清晰、尺寸最精确的 “完美焦点” 的关键环节，本质是工艺窗口的探索实验。 光刻工艺可在硅片上绘制比头发丝细千倍的电路图案，拉偏实验则是该过程的重要 “调色” 步骤。 二、拉偏 阅读全文