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摘要： 一、核心结论 应变硅技术通过选择性外延生长引入晶格应力，提升载流子迁移率，不缩小晶体管尺寸即可提升芯片性能，是摩尔定律延续的关键技术。 二、应力来源：原子尺码不匹配 应力源于两种材料的原子尺寸差异，通过外延生长实现应力定向施加： 1、PMOS（空穴） 源漏区外延SiGe（锗硅），锗原子比硅大4.2% 阅读全文

摘要： 一、核心定义 光刻拉偏（FEM，Focus-Exposure Matrix）是光刻工艺中通过系统性微调曝光参数，寻找电路图案最清晰、尺寸最精确的 “完美焦点” 的关键环节，本质是工艺窗口的探索实验。 光刻工艺可在硅片上绘制比头发丝细千倍的电路图案，拉偏实验则是该过程的重要 “调色” 步骤。 二、拉偏 阅读全文