摘要: 一、基础定义 柔性电子(柔性电路)是建立在柔性衬底之上的新型电子技术。 1、核心特征:将导电层、半导体层、介电层及各类功能器件,集成在可弯曲、可卷绕、可一定程度变形的基底材料上。 2、常见衬底材料:聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、纸基材料等。 3、行业定位:替代或补充传统刚性电路的 阅读全文
posted @ 2026-07-16 17:07 半导体软硬件技术手记 阅读(11) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 一、核心结论 应变硅技术通过选择性外延生长引入晶格应力,提升载流子迁移率,不缩小晶体管尺寸即可提升芯片性能,是摩尔定律延续的关键技术。 二、应力来源:原子尺码不匹配 应力源于两种材料的原子尺寸差异,通过外延生长实现应力定向施加: 1、PMOS(空穴) 源漏区外延SiGe(锗硅),锗原子比硅大4.2% 阅读全文
posted @ 2026-04-23 16:41 半导体软硬件技术手记 阅读(88) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 芯片制造:光刻工艺拉FEM笔记 一、核心定义 光刻拉偏(FEM,Focus-Exposure Matrix)是光刻工艺中通过系统性微调曝光参数,寻找电路图案最清晰、尺寸最精确的 “完美焦点” 的关键环节,本质是工艺窗口的探索实验。 光刻工艺可在硅片上绘制比头发丝细千倍的电路图案,拉偏实验则是该过程的重要 “调色” 步骤。 二、拉偏 阅读全文
posted @ 2026-03-13 14:03 半导体软硬件技术手记 阅读(190) 评论(0) 推荐(0)