摘要：
降低电源网络上的噪声，常见的结构如下图所示NMOS的G端接VDD而S端D端接VSS。这种由一个MOS管形成的decap，它的gate leakage性能PMOS要优于NMOS结构 根据栅漏电和瞬态响应折中，还要考虑ESD 阅读全文
posted @ 2024-06-04 19:46
拉闸丹
阅读(242)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
首先你要明白失调电压的来历，失调电压是由内部电路的失配造成的。输出失调，是输入为0，但是因为内部管子的失配，会在输出端产生一个压差。为了消除这个失调，要在输入端加上一个电压，使输出信号变成0，这样才是补偿了失调。同样的，等效的输入失调你可以理解为是输出的失调电压，除以了电路本身的增益，才得到了输入失 阅读全文
posted @ 2024-06-04 19:45
拉闸丹
阅读(35)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
判断零极点的方法： 如果将前级等效成戴维南等效电路，如果RC串联从中间输出，则存在一个极点，如果RC串联从R输出，则存在一个零点； 如果将前级等效成诺顿等效电路，如果RC并联输出，则存在一个极点，如果某条并联支路存在RC串联，则引入一个零点； 以上两种情况的零点一般都是RHZ，还有一种情况就是前节所 阅读全文
posted @ 2024-06-04 19:45
拉闸丹
阅读(207)
评论(2)
推荐(0)
摘要：
https://zhuanlan.zhihu.com/p/163378002 ESD小栈 阅读全文
posted @ 2024-06-04 19:45
拉闸丹
阅读(22)
评论(1)
推荐(0)
摘要：
  阅读全文
posted @ 2024-06-04 19:44
拉闸丹
阅读(12)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
从(3)中可以看到，从D极的N型区->中间P型区->Sub极->S极，刚好构成了一个二极管结构，并且处于反偏状态，这就是MOS符号中并联了一个二极管的原因。 有的电池保护板，在锂电池过放后，会开启保护功能：关闭放电MOS。当插上充电器后，就利用MOS体二极管，使得电路导通，系统正常工作。 阅读全文
posted @ 2024-06-04 19:42
拉闸丹
阅读(16)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
PTAT电流是正比于温度的，这个电流会提供给运放的电流源，运放的GBW=gm/Cc,而运放的输入对管一般工作在亚阈值区，亚阈值区gm=ID/nVT,如果ID=PTAT,则上下相比抵消，GBW不受温度的影响。 阅读全文
posted @ 2024-06-04 17:18
拉闸丹
阅读(445)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
http://rt2innocence.net/integrated-circuit/understanding-the-bandgap-with-symmetric-current-voltage-mirror/ https://blog.eetop.cn/blog-757190-29501.ht 阅读全文
posted @ 2024-06-04 16:07
拉闸丹
阅读(26)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
bandgap的中运放的正负相位都有连接，且前馈系数一般相同，则需要使得负反馈系数大于正反馈系数，环路才稳定。 对于不同类型的bandgap,其正负相位一般连接不同。 https://blog.csdn.net/weixin_39889337/article/details/112767268 // 阅读全文
posted @ 2024-06-04 15:18
拉闸丹
阅读(405)
评论(2)
推荐(0)
浙公网安备 33010602011771号