摘要: 0: cutoff 1: triode 2: saturation 3: subthreshold 4: breakdown 除了真正提供电流,复制电流的管子必须处于饱和区,其他管子(放大管&cascode管)可以处于饱和区和亚阈值区。 {{uploading-image-30276.png(upl 阅读全文
posted @ 2024-05-22 20:20 拉闸丹 阅读(89) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 如果你要大一点的共模输入范围的话 就可以衬底和S端接在一起,这样可以增加CMRR(这次的增加主要来自匹配)、减小offset、减小非线性、增加PSR。 其中,POMS变的不是绝对值! 阅读全文
posted @ 2024-05-22 11:40 拉闸丹 阅读(24) 评论(0) 推荐(0)
摘要: class AB运放的offset和噪声受哪些管子的影响。 轨到轨放大器的缺点是当共模输入电压变化时,其中由于共模输入范围存在重叠区,所以导致N管和P管同时导通时其跨导会变化,这会影响电路频率特性,因为一个好的频率补偿电路需要一个恒定的跨导,所以为了在共模输入范围内得到恒定的跨导提升在共模输入在较低 阅读全文
posted @ 2024-05-09 11:51 拉闸丹 阅读(382) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 差模电压增益与共模电压增益的比值,用dB 表示。 CMRR=20lg(Ad/Ac) 优劣范围:一般运放都有60dB 以上的CMRR,高级的可达140dB 以上。 理解:运算放大器在单端输入使用时,不存在这个概念。只有运放的两个输入端都在变化,此指标才会发挥作用。 怎么提高二级运放的共模抑制比呢:1. 阅读全文
posted @ 2024-05-08 14:40 拉闸丹 阅读(104) 评论(1) 推荐(0)
摘要: I=1/2μnCoxW/L(Vgs-Vt)^2 gm=μnCoxW/L(Vgs-Vt) gm=2Id/Vod gm=(2IdμnCox*W/L)^1/2 对于不同静态Id工作点,gm随着变化,这个比较并不公平,对于运放输入对管来说,其静态工作点被尾电流限制,因此 Id固定,想要获得大的gm,则需要更 阅读全文
posted @ 2024-05-07 14:51 拉闸丹 阅读(73) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 从波形,不太清楚 从功率属于功率放大器 从模拟看,A是存在固定的偏置,只有n/p,功耗大; B是n在上,p在下,有且仅有一个处于导通状态,且无论哪个处于导通,都会存在失真; AB是n在下,p在上,导通状态处于180-360之间。 为什么采用AB,是为了不让共模输入范围不受输出范围的影响(在单位增益负 阅读全文
posted @ 2024-05-07 09:55 拉闸丹 阅读(207) 评论(0) 推荐(0)
摘要: Native MOS实际就是阈值电压接近为零的管子,实际上就是耗尽管。这种Native MOS管一般只会用来做电容,用它做电容的好处在于,以NMOS为例,gate电压只要大于阈值电压,那么电容都等于Gate电容。而标准NMOS,当 gate电压小于阈值电压的时候,NMOS电容等于gate电容和沟道耗 阅读全文
posted @ 2024-04-27 14:29 拉闸丹 阅读(787) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 1.对输入直接dc扫描,但是不够精确,不过输出摆幅通常大于输入共模范围。使用VS(out)-VS(in); 2.正弦输入,看失真位置; 3.ac+变量扫描,看增益变化; 4.看不同管子所处region,以及Vds,Vds_margain. ADE XL-outputs setup-右键-add OP 阅读全文
posted @ 2024-04-03 11:02 拉闸丹 阅读(342) 评论(0) 推荐(0)