随笔分类 - 电路设计
摘要:RFID作为一项专业度较高的技术,在一些公司,可能还会专门招聘专业的RFID工程师。本篇阐述的涉及到的只是基本选型设计、电路框架,关于RFID天线调试、低功耗检卡调试等,后续再其他篇章会继续更新! NFC(Near Field Communication)芯片选型: 主要考量点: 芯片支持的协议、是
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摘要:单片机的基准电压一般为3.3V,如果外部信号超过了AD测量范围,可以采用电阻分压的方法,但是要注意阻抗匹配问题。比如,SMT32的模数输入阻抗约为10K,如果外接的分压电阻无法远小于该阻值,则会因为信号源输出阻抗较大,AD的输入阻抗较小,从而输入阻抗对信号源信号的电压造成分压,最终导致电压读取误差较
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摘要:要实现射频最大的功率传输,必须使负载阻抗与源阻抗相匹配(即信号源阻抗与负载阻抗共轭相等),实现匹配的通常做法是在源和负载之间插入一个匹配网络,该网络不仅仅为减少功率损耗而设计,还可减少噪声干扰、提高功率容量和提高频率响应的线性度等(通常认为,匹配网络的用途就是实现阻抗变换,将给定的阻抗值变换成其他更
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摘要:1. 保险丝的尺寸形状 2. 选用所需安规认证 3. 额定电压:熔断体正常工作在线路中时,它的功耗是很小的,因此它的压降也很小,但是当线路出现故障,熔断体熔断时,熔断体的两端将承受线路的额定电压,大于或等于线路额定电压是选择熔断体的因素之一。 4. 额定电流:熔断体标定的额定电流是熔断体在实验室条件
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摘要:过去的几个智能开关项目中,频繁使用可控硅作为无触点开关,期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因,跳入了好几个“坑”,现在对可控硅设计知识要点进行总结,罗列如下: 可控硅类别: a. 单向可控硅:门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅······ b. 双向可控硅:标准型双向
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摘要:设计“反激变压器”时,许多工程师有一个错误的思维定势,即设计者把其当成真正的变压器来设计!而实际上,反激变压器初次级电压并不相关,次级绕组电压只与负载有关。 反激变换器的基本电路如下图所示: 工作原理如下:当Q1导通时,所有的整流二极管都方向截止,输出电容给负载供电。T1相当于一个纯电感,流过Np的
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摘要:1. 芯片特性 a. 固定60KHz开关频率; b. 宽Vcc输出电压范围:9V - 38V; c. 宽交流输入电压范围:85Vac - 265Vac; d. 电流模式PWM控制; e. 带迟滞的辅助欠压锁定功能; f. 高压启动电流源; g. 内置730V MOSFET; h. 轻载条件下Burs
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摘要:设计一个12V转3.3V,输出电流30mA的电源电路,由于项目对转化效率要求较高,所以不能采用低压差线性稳压LDO的方案。经过对比,TOREX的XC9264效率在此转化条件下效率可做到85%以上,比MPS等厂家同类型芯片效率做得高很多。 特性: 输入电压范围:3-18V(极限值20V) FBVolt
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摘要:1、该款电路为兼容可控硅调光的LED驱动电路,采用OB3332为开关控制IC,拓扑方案为Buck; 2、FB1:磁珠的单位是欧姆,而不是亨利,这一点要特别注意。因为磁珠的单位是按照它在某一频率 产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。磁珠的 DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图,一般
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摘要:“单火”、“零火”比较: 单火开关中,由火线进线与开关连接后出线,出线后连接负载(比如灯泡),最后再与零线连接,传统墙壁开关中为节约成本,即采用这种连线方式; 零火开关中,零线、火线都会进入到开关中,只不过开关盒子中开关只对火线进行控制,由于盒子中多了一条零线,可以在盒子中植入其他智能设备与负载形成
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摘要:这是一款输入宽电压120-277V 60HZ,输出48V,273mA的电源,使用美芯晟MT7933,采用Buck拓扑结构。 注:在最初的设计中,预留电感L1、L2,CBB电容C1、C2作为传导测试元件,预留磁珠FB1、陶瓷贴片电容C9、贴片电阻R14、R15作为辐射测试元件; 传导测试: 1、短接L
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摘要:开关电源使用的电感器主要有:串模扼流圈、共模扼流圈、储能电感、滤波电感、磁珠 串模扼流圈选择方法: 1、串模扼流圈通常绕制在铁氧体磁环或螺线管上,对串模干扰呈现很高的阻抗 2、如1mH的串模扼流圈,当工作频率为1MHz时串模阻抗达到峰值 3、采用单层绕组的串模扼流圈的匝间电容最低。其谐振频率也最高
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摘要:最近一周开发一个LED球泡灯可控硅调光项目,现总结如下: 项目要求: 1、使用RCC调光方案 2、输入电压Ui=120V(60HZ),输出电压Uo=66V,输出电流Io=120mA(恒流) 什么是可控硅: 单向可控硅由4层半导体组成,有3个PN结:阳极A,阴极K,控制极G,如下图: 单向可控硅文字符
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摘要:Buck-Boost电路中,最低电压为其最恶劣情况 以下图为例: 注:1、Np为初级绕组匝数,Ns为次级绕组匝数; 2、Vmos为MOS最大耐压值,1为整流管压降,Vl为漏,Vl=100V,Vmos选取遵循的原则:开关关断瞬间,加在MOS上电压值为Vmos的25%(或30V)时,应留有50V的裕度。
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摘要:电路处于Buck-Boost DCM模式,最恶劣情况为输入电压最低时。取频率为f 以下图为例: 1、MOS耐压选择: Vmos≥Vinmax+Vout+80 2、保证磁芯不饱和且始终工作在DCM模式 由伏秒平衡(Vinmin-1)*ton=Vout*toff ①(设MOS正向导通压降为1V) 为保证
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摘要:RCC电路工作于临界模式,不是固定工作频率,其设计遵从BUCK原理。Buck电路在最高输入电压时为电感最恶劣工作条件; 以下图为例: 1、首先设定如下参数:输入电压Vin,输出电压Iout,工作频率f; 2、由于电路工作在临界模式,所以电感峰值电流为2Iout; 3、由(Vinmin-Vo)*ton
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