摘要：
目录前置MOS结构基础理想MOS结构回顾Delta-耗尽层模型非理想因素MOSFET基础参数与定义定性分析理想长沟道MOSFET缓变沟道近似（GCA）反型层电荷密度和阈值电压直流I-V特性理想MOSFET的电荷-电压特性理想MOSFET的频率响应非理想效应沟道长度调制效应(CLM)体效应(Body 阅读全文
posted @ 2025-10-01 03:05
TE4BR3K
阅读(5)
评论(0)
推荐(0)
摘要： 
目录前置BJT基本知识器件结构器件参数工作模式静电特性（定性）器件特性参数BJT的静态特性少子扩散方程、边界条件和少子分布电流表达式正向有源模式下BJT的直流特性Ebers-Moll模型理想BJT的输出特性曲线非理想效应现代BJT结构BJT的小信号特性混合\(\pi\)等效电路频率参数非理想效应对小 阅读全文
目录前置BJT基本知识器件结构器件参数工作模式静电特性（定性）器件特性参数BJT的静态特性少子扩散方程、边界条件和少子分布电流表达式正向有源模式下BJT的直流特性Ebers-Moll模型理想BJT的输出特性曲线非理想效应现代BJT结构BJT的小信号特性混合\(\pi\)等效电路频率参数非理想效应对小 阅读全文
posted @ 2025-10-01 02:23
TE4BR3K
阅读(5)
评论(0)
推荐(0)
摘要： 
目录基本公式回顾能带模型载流子连续性方程（运输方程）电学方程电荷控制方程导入术语，记号与定性解静电特性内建电势\(V_{bi}\)耗尽近似外加偏压下的突变结I-V特性：理想二极管方程定性载流子分布理想I-V电荷控制方程I-V特性：实际特性反向击穿雪崩击穿齐纳击穿空间电荷区的R-G电流大注入效应pn结 阅读全文
目录基本公式回顾能带模型载流子连续性方程（运输方程）电学方程电荷控制方程导入术语，记号与定性解静电特性内建电势\(V_{bi}\)耗尽近似外加偏压下的突变结I-V特性：理想二极管方程定性载流子分布理想I-V电荷控制方程I-V特性：实际特性反向击穿雪崩击穿齐纳击穿空间电荷区的R-G电流大注入效应pn结 阅读全文
posted @ 2025-10-01 02:09
TE4BR3K
阅读(4)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
表面态 晶体自由表面使其周期场在表面处发生中断，引起附加能级 表面态：电子的分布概率主要集中在x=0处，即电子被局限在表面附近 表面电场效应 理想条件： 金属板与半导体间功函数差为零； 在绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电； 绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态 空间电荷层及表面势\(V_s\) 阅读全文
posted @ 2025-10-01 01:53
TE4BR3K
阅读(5)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
金半接触及其能级图 功函数 金属功函数\(W_m=E_0-E_{Fm}\) 一个起始能量为费米能级的电子由金属内部逸出到真空所需的最小能量 半导体功函数\(W_s=E_0-E_{Fs}\) 电子亲合能\(\chi=E_0-E_c\) 接触电势差\(V_{ms}\) 内建电势差\(qV_D=W_m-W 阅读全文
posted @ 2025-10-01 01:48
TE4BR3K
阅读(5)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
一、非平衡载流子的注入与复合 非平衡载流子：比平衡状态多出来的部分载流子，通常指非平衡少数载流子 \(\Delta n=\Delta p\) 附加电导率 \(\Delta \sigma=\Delta pq(\mu_\mathrm n+\mu_\mathrm p)\) 产生率：单位时间单位体积产生的载 阅读全文
posted @ 2025-10-01 01:46
TE4BR3K
阅读(3)
评论(0)
推荐(0)
摘要：
一、载流子的漂移运动和迁移率 欧姆定律 电导率 \(\sigma =\dfrac{1}{\rho}\) 欧姆定律微分形式 \(J=\sigma \mathscr{E}\) 漂移速度和迁移率 迁移率 \(\mu=\left|\dfrac{\bar{v}_\mathrm d}{\mathscr E}\r 阅读全文
posted @ 2025-10-01 01:44
TE4BR3K
阅读(5)
评论(0)
推荐(0)
一、硅、锗晶体中的杂质能级 替位式杂质和间隙式杂质 间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置 替位式杂质：杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处 杂质浓度：单位体积中的杂质原子数(数密度) 施主杂质浓度 \(N_\mathrm D\),受主杂质浓度 \(N_\mathrm A\),反映能级数 施主杂 
浙公网安备 33010602011771号