摘要:最近在调试MOSFET电路中,发现了更多问题,比如同样的PI反馈控制电路可以很好的控制PMOS工作,却对NMOS不能很好控制。当然你肯定会说那是因为PMOS和NMOS不同呀,这自然没有错,我在上一篇文章中也讨论了载流子不同带来的影响,但是这些差异最终体现在哪些具体的地方,我仍然是含糊不清的。这最集中
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摘要:这部分内容大部分参考W.Y.Choi的课堂讲义第三讲和第四讲:http://tera.yonsei.ac.kr/class/2007_1/main.htm 一、小信号模型 首先要明确一点,大部分情形MOSFET都是工作在饱和区。在饱和区工作的状态我们通常称为静态工作点,在此状态附近考虑一个小的控制信
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摘要:最近在工作中,一直在调试关于MOSFET的电路。在设计过程中发现了PMOS和NMOS的差异,在此记录。 一、 MOSFET简介 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的中文应称为"金属氧化物半导体场效应管"。从名字中就可看
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摘要:下面我们讨论一种重要的代数系--向量空间。我们将数域$K$限定为实数$R$或复数$C$。 定义 集合$V$称为域$K$上的向量空间,如果它满足下列条件: (i) 集合$V$中定义了加法$+$运算,而且$V$在此加法运算下构成Abel群,此时零元记为$0$,$v\in V$的负元记为$-v$. (ii
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摘要:一、超复数数系 从实数扩展到复数,实际上是从实数轴扩张到复平面,即从一元数扩展到二元数。那么我们能够扩展到更高维的空间哪?数学家给了我们答案,我们可以引进$2^{n}$元数。当$n=0,1$时,分别对应实数和复数。当$n=2,3,4$分别对应四元数(Hamilton代数),八元数(Cayley代数)
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摘要:群实质上是集合加上满足群公理的乘法运算的数学实体。现在我们将其推广,在集合上加上不同的附加结构(不同公理),研究可能形成的代数系及其性质。 一、 自然数 自然数$\mathbb{N}=\{0,1,2,3,...\}$我们再熟悉不过了,它满足如下性质: (i) 有序性: $\mathbb{N}$按“$
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摘要:下面我们讨论群$G$到$G'$的映射。 一、 同态与同构 定义 设有两个群$G$和$G'$. 若存在一个映射$f: G\rightarrow G',a\rightarrow f(a)$,且满足 $$f(a\circ b)=f(a)\circ f(b),\quad \forall a,b\in G.$
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摘要:群作为代数结构首先是一个集合,那么元素间可能有各种等价关系,这些等价关系给出了群的划分,也使群自身结构的特异性突出。 一、 陪集 定义 设$H$是$G$的一个子群,$a\in G$,作集合$aH=\{ax|x\in H\}$,称$aH$是关于子群$H$的一个左陪集。类似地,可定义右陪集$Ha=\{x
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