TLSR825X 低功耗说明

5号电池：标称电压1.5V,直径为14毫米,高度为50毫米.容量通常在1500到3000毫安时（mAh）
7号电池：标称电压1.5V,直径为10毫米,高度为44毫米.容量通常在800到1200毫安时（mAh）

电源: 1.8V~3.6V.
低功耗特性：
全芯片接收模式：5.3mA
全芯片发射模式：在使用直流 - 直流转换器（DCDC）且功率为 0 分贝毫瓦（0dBm）时，电流为 4.8mA
外部唤醒的深度睡眠模式（无静态随机存取存储器（SRAM）数据保持功能）：0.4uA
带 SRAM 数据保持功能的深度睡眠模式：
（保持 8kB SRAM 数据时）1uA
（保持 16kB SRAM 数据时）1.2uA
（保持 32kB SRAM 数据时）1.4uA

 

唤醒后的状态和行为

‌无 SRAM 保留‌：在这种模式下，深度睡眠时几乎关闭所有功能模块，只保留最基本的唤醒逻辑。唤醒后，SRAM 和其他内存内容会丢失，程序需要从头开始执行‌。

有 8/16/32kB SRAM 保留‌：在这种模式下，深度睡眠时保留了基本的唤醒逻辑，同时保留了32kB的SRAM。唤醒后，程序可以从上次中断的地方继续执行，而不需要重新加载数据‌。

 

应用场景

‌无 SRAM 保留‌：适用于那些不需要保持数据状态或可以容忍数据丢失的应用场景，如某些传感器节点或长时间无人值守的设备。

‌具有 8/16/32kB SRAM 保留‌：适用于需要保持一定数据状态或频繁唤醒执行特定任务的应用场景，如智能家居设备、工业控制设备等。

 

具体实现方式

‌无 SRAM 保留‌：在深度睡眠模式下，几乎所有功能模块都关闭，只有最基本的唤醒逻辑保持通电。唤醒后，程序需要重新初始化所有外设和内存‌12。

具有 32kB SRAM 保留‌：在深度睡眠模式下，保留基本的唤醒逻辑和32kB的SRAM。唤醒后，程序可以直接从上次中断的地方继续执行，而不需要重新加载数据‌。