摘要:
一、PVT (Process Voltage Temperature) 电压、温度 和 工艺情况等条件组合,形成 PVT(Process、Voltage、Temperature)条件,用于性能分析(时序分析)。 Voltage & Temperature Process corner不同的晶片和不同 阅读全文
摘要:
IC 四种常见失效机理如下: EM -- electron migration,电子迁移TDDB -- time dependent dielectric breakdown,与时间相关电介质击穿 / 经时击穿NBTI -- negative-bias temperature instability 阅读全文
摘要:
可靠性相关的 概率基本概念 F(t) - Cumulative Distribution Function (CDF) 积累失效概率函数; R(t) - Reliability Function 可靠度函数, R(t) = 1 − F(t); f(t) - Probability Density F 阅读全文