摘要: 一、model of MOST transistor 1、沟道长度减小——速度提高——CMOS器件能够在更高的频率上获得增益 2、模拟电路制程小于数字电路 3、MOST尺寸是W、L,决定了掩模上器件尺寸; 4、沟道形成过程 Vgs——形成反型层,沟道形成; Vds——形成D、S之间的电流; 改变栅压 阅读全文
posted @ 2022-03-19 21:41 yueyy 阅读(877) 评论(0) 推荐(1) 编辑
摘要: 一、甄士隐梦幻识通灵 贾雨村风尘怀闺秀 《石头记》缘起:女娲补天用了三万六千五百零一块中的三万六千五百块,就一块没用,这块石头经过锻炼后,已通灵性。一僧一道路过,在上面镌刻字,准备让石头到昌明隆盛之邦,诗礼簪缨之族,花柳繁华地,温柔富贵乡走一遭。 后过了几世,空空道人路过,看了石头的来历,写下《石头 阅读全文
posted @ 2022-03-17 15:05 yueyy 阅读(2018) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、MOS管 压控电流源 三个区: 截止区 饱和区:VGS越大,电流越大。 线性区:可以做开关,用作电阻,因为电流id受vds控制。 2、gm跨导 可以看作“交流放大倍数” 放大的什么信号呢? 直流偏置点上的小信号。 3、r0 输出电阻 饱和区,沟道调制效应,电阻很大 输出电阻与ID和沟道调制系数成 阅读全文
posted @ 2021-07-01 22:17 yueyy 阅读(541) 评论(0) 推荐(0) 编辑
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posted @ 2021-06-13 09:12 yueyy 阅读(99) 评论(0) 推荐(0) 编辑
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posted @ 2020-11-30 17:04 yueyy 阅读(165) 评论(0) 推荐(0) 编辑
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posted @ 2020-11-30 17:02 yueyy 阅读(135) 评论(0) 推荐(0) 编辑
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posted @ 2020-11-28 14:58 yueyy 阅读(81) 评论(0) 推荐(0) 编辑
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posted @ 2020-11-26 16:46 yueyy 阅读(308) 评论(0) 推荐(0) 编辑
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posted @ 2020-11-25 17:59 yueyy 阅读(170) 评论(0) 推荐(0) 编辑
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posted @ 2020-11-22 18:53 yueyy 阅读(331) 评论(0) 推荐(0) 编辑