nor Flash和nand Flash的区别

  flash 按照结构可以分为 nor flash 和 nand flash两大类。

一、特点

1、nor flash

  • nor flash的特点就是芯片内执行,这样应用程序可以直接在 flash 内存内运行,不必再把代码读到系统 RAM 中

  • nor flash 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,

  • 很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

2、nand flash

  • nand flash 结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快

  • 应用nand flash 的困难在于flash 的管理和需要的特殊接口。

二、容量和成本

  • nor flash 的容量大小为1MB~32MB ,而nand flash 的为16MB~512MB

  • nand flash 的单元尺寸几乎是nor flash 的一半,由于生产的过程更为简单,因此价格也是相对低。

三、性能差别

  • nor flash 的读速度比 nand flash稍快一些

  • nor flash 的写入速度比 nand flash 慢了很多

  • nand flash 的4ms擦除速度远比nor flash 的5s 快

  • nand flash 的擦除单元更小,相应的擦除电路也久更小

四、接口差别

  • nor flash 的接口和RAM一样

  • nand flash 是使用I/O口来串行地存取数据

五、易用性

  • nor flash 可以像其他存储器那样连接,还可以直接在上面运行代码

  • 使用 nand flash 的话就复杂了,需要I/O接口,必须先写入驱动程序,才可以继续执行其他的操作。

六、耐用性

  • 在nand flash内存中的每个块的最大擦除写次数是100万次

  • nor flash 的擦写次数是10万次

七、坏处处理

  • nand flash 器件中的坏处是随机分布的

  • nand flash 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。

八、位交换

  所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,nand flash发生的次数要比nor flash多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。

  这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

九、主要用途

  • nor flash常用于保存代码和关键数据

  • nand flash 用于保存数据。

十、软件支持

当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。

  • 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持

  • 在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

  • 使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

  • 驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

posted @ 2022-05-31 11:31  轻轻的吻  阅读(1242)  评论(0编辑  收藏  举报