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教材：《模拟电子技术（第四版）》（华成英）

视频：B站 【模拟电子技术基础】郑益慧

工具：iPad2018（建议配iPad Pro），MarginNote3，PDF Expert，Notability（无ipad pencil临时画图用）

缩写：教-教材，M-MarginNote3（PDF导入MN3后文档模式下显示页码）

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第一章

自测题

一、√×√×√×

（3）PN结在无光照、无外加电压时结电流为0？（热激发产生的漂移电流不算结电流吗？就视作稳定状态的电容？）

（5）结型场效应管，gs加反压具有R_GS特别大的特点

教P14（MP43）

PN结外加正向电压，此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄

 

教P40（MP69）

结型场效应管的工作原理

为使N沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压（即u_GS<0）,以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间加正向电压u_DS，以形成漏极电流i_D。u_GS<0，既保证了栅源之间内阻很高的特点，又实现了uGS对沟道电流的控制。

 

 

（6）若耗尽型N沟道MOS管的uGS>0，则其输入电阻不会明显变小

SiO2绝缘层，输入电阻不会明显减小

 

 

 二、（1）A（2）C（3）B（4）A C

 

三、1.3/0/-1.3/2/1.3/-2

 

四、6/5

先判断稳压管导通还是截止？

 

五、（1）2V

U_CE=V_CC-I_CR_C

（2）教P34  对小功率管，可以认为当u_CE=u_BE，即u_CB=0V时，晶体管处于临界状态，即临界饱和或临界发大状态

I_C=(V_CC-u_CE)/R_C,求出I_C，继而求出I_B

I_B=(V_BB-u_BE)/R_B，求出R_B

 

六、（场效应管的工作区域）恒流区，截止区，可变电阻区

教材P43

	N沟道增强型MOS管	P沟道增强型MOS管
非截止条件	uGS>uGS(th)>0	uGS<uGS(th)<0
可变电阻区	uDS<uGS-uGS(th)	uDS>uGS-uGS（th）
恒流区	uDS>uGS-uGS(th)	uDS<uGS-uGS（th）

增强型参数u_GS（th）

 

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习题

1.1  （1）A，C（2）A（3）C（4）A

漏极直流电流ID增大，则跨导（切线斜率）变大

 

 

1.2  略

1.3  二极管导通时钳位，截止时U_o=U_i

1.4  

教P23式（1.2.1）

 

 先由直流算出动态电阻（分析直流通路时交流源置0）

动态电流有效值即为动态电压有效值除以动态电阻

1.5  （1）14V、6.7/8.7、1.4，稳压管可反向截止，可正向导通（2）0.7、6V

1.6  （稳压管与负载并联，给出稳压管的稳定电压与最小和最大稳定电流）

（1）法一、假设稳压管工作在稳压状态（反向击穿）

①由限流电阻上电压算出限流电阻上电流，比较该电流与稳定电流

②算出稳压管的电流=限流电阻电流-负载电阻电流

法二、假设稳压管工作在截止状态，计算稳压管的端电压，若该电压大于稳压管的稳定电压，则假设不成立，稳压管工作在稳定状态；若该电压小于稳压管的稳定电压，则说明假设成立，即稳压管未被击穿。

（2）当负载开路时，稳压管的电流等于限流电阻的电流，即IDZ=（UI-UZ）/R=29mA>25mA，稳压管将因功耗过大而损坏

1.7  233Ω，700Ω

1.8  晶体管的集电极电流与发射极电流近似相等，若已知两个电流相差悬殊，则小的是基极电流，大的是集电极电流或发射极电流

1.9  硅（Si），锗（Ge）

1.10 (题目有误，应为uI=0，1V，3V)

大写字母大写下标表示直流量（或静态电流）

小写字母大写下标表示交、直流量的瞬时总量

（1）当u_I=0V时，u_BE<U_ON,T截止，Uo=12V

（2）当u_I=1V时

I_B=(u_I-U_BE)/R_b=60μA

I_C=βI_B=3mA

u_O=V_CC-I_CR_C=9V

u_CE>u_BE，故假设成立，T工作于放大状态

教P33（MP62）

	共射电路的输出特性曲线
截止区	uBE≤Uon且uCE>uBE
放大区	uBE>Uon且uCE≥uBE
饱和区	uBE>Uon且uCE<uBE

当u_I=3V时

I_B=(u_I-U_BE)/R_b=0.46mA

I_C=βI_B=23mA

u_O=V_CC-I_CR_C=-11V<u_BE=0.7V

u_CE<u_BE说明假设不成立，即T处于饱和状态，uCE=UCES≈UBE=0.7V，式中UCES为饱和管压降，uo=uCE≈0.7V(计算饱和状态就一定是临界饱和吗？没有过饱和之类的状态吗？)

法二、先计算基极临界饱和电流I_BS，再计算出基极电流与之比较，若I_B>I_BS,说明晶体管工作在饱和状态，u_O=U_CES≈0.7V

1.11  uI=0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO=-UZ=-5V

当uI=-5V时，基极电流｜I_B｜=(｜u_I｜-｜U_BE｜)/R_B=0.48mA

临界饱和时的基极电流｜I_BS｜=(｜V_CC｜-｜U_CES｜)/βR_C=0.238mA

 ｜I_B｜>｜I_BS｜，说明晶体管饱和，故u_O=-0.1V

1.12

（c）发射结反偏，不能工作在放大状态  

（d）没有RB，三极管会因为电流过大而损坏，所以T不可能工作在放大状态

1.13  （场效应管的类型及工作状态的判断）（答案有问题？增强型耗尽型不就是MOS管吗？）

结型管三个极，MOS管四个极(图是做出来了，没口诀，只有N沟道增强型MOS管能一眼看懂图，其他都要想，靠刷题吗？)

 

 

 

 

结型场效管		截止（夹断）区	恒流区	可变电阻区
UGS（off）<0	N沟道	uGS<UGS(off)	UGS(off)<uGS<0 uDS>uGS-UGS(off)	UGS(off)<uGS<0 且uGD>UGS(off)
UGS（off）>0	P沟道	uGS>UGS(off)	0<uGS<UGS(off) uDS<uGS-UGS(off)	0<uGS<UGS(off) 且uGD<UGS(off)
耗尽型MOS管	同上，uGS 可正可负
增强型MOS管
UGS(th)>0	N沟道	UGS<UGS(th)	uGS>UGS(th) 且uDS>uGS-UGS(th)	uGS>UGS(th) 且uDS<uGS-UGS(th)
UGS(th)<0	P沟道	UGS>UGS(th)	uGS<UGS(th) 且uDS<uGS-UGS(th)	uGS<UGS(th) 且uDS>uGS-UGS(th)

1.14-1.15 （由场效应管输出特性曲线画出转移特性曲线）

i_D>0→N沟道

u_DS有一个增大的过程→增强型

假设工作在恒流区，u_DS=V_CC-i_DR_d，求出u_GD，若u_GD<U_GS(off)，则假设成立

(2)当u_I=12V=V_DD时，由N沟道增强型得可变电阻区须满足uDS<uGS-UGS（h）

uDS=VDD-iDRd=12-4*3.3<0

下图不懂，必然？？？

 

 

1.16  （玄学判断是否能工作在恒流区）