关于拉扎维 模拟CMOS集成电路设计 复习 CHAR 2

近日，开始复习拉扎维这本经典教材 ，无疑是我最喜欢钻研的事情，刚刚看完第二章 MOS器件物理基础 有两个问题没有解决 。

1）NMOS二极管通常通过一个P+欧姆区来实现两个节的反偏，原理？ 

2）VDS对与ID的影响通常被认为是“缺陷” ？

今日先将第二章习题做完 再回过头解决这些问题