晶体管放大电路设计：阅读晶体管数据手册

 

 

一  大信号参数（hFE，Vce,sat）

1.1  直流电流增益（hFE）

直流电流增益体现了晶体管的直流放大能力，数值上等于Ic与Ib的比值。在设计放大电路时，需要确定静态工作点，就需要知道此参数。

以下条件会影响hFE的值：

（1）环境温度

一般在一定范围内，随着环境温度的上升，hFE会上升。

（2）集电极电流（Ic）

一般随着Ic的上升，hFE会先缓慢上升，再稍快下降。

1.2  饱和电压（Vce,sat）

随着基极电流过载的增加，Vce,sat会下降。

二  小信号参数（hfe， Cu，Cpi，rx）

2.1  小信号电流增益

hfe和hFE不同，hfe表示在特定集电极电流Ic附近Ic的变化速率，它一般随着Ic的增大而增大。

2.2  Cobo，Cibo

Cobo是基极-集电极结电容，Cibo是基极-发射极接电容，其中Cu = Cobo，另外集电极-基极时间常数Tcb也可以在数据手册中找到。

2.3  参数计算

rx = Tcb / Cu

rpi = hfe / gm

Cpi = gm / wT – Cu

在常温下gm = Ic / 26mV（gm为跨导）

三  步骤总结

（1）决定集电极电流Ic，比如2mA

（2）计算出跨导gm

（3）找出在Ic处的hfe

（4）计算rpi = hfe / gm

（5）找出Cobo，也就找出了Cu

（6）找出wT

（7）计算Cpi = gm / wT – Cu

（8）找出集电极-基极时间常数Tcb，计算出rx = Tcb / Cu，或者根据一些信息作出合理的猜测。