HBM5、HBM6、HBM7、HBM8技术路线图来了

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韩国科学技术院（KAIST）教授 Joungho Kim（号称 HBM 之父）公布了 2025 年到 2040 年 HBM 各代的技术路线图。

 

 

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1：HBM5

从 HBM4 开始，基础裸片的功能越来越多，干了部分GPU的活，功耗和发热增加，散热问题是需要优先解决的。

HBM4 采用液冷技术散热，而 HBM5 采用浸沒式冷却技术，直接将裸片和封装整体浸泡在冷却液中。

2：HBM6

键合（Bonding Technolog）也是关键的技术，从HBM6开始将引入玻璃与硅混合中介层，可以支持更高的带宽和更复杂的堆叠连接。

3：HBM7

HBM7 引入嵌入式冷却技术使冷却剂能在堆叠的DRAM芯片间流动，进一步减低散热问题，这种技术也叫流体TSV。

除此之外，HBM7 还使用了流体 TSV（Fluidic TSV）、热通孔（TTV）、电源通孔（TPV）等多类型垂直通孔。

HBM7 在架构上也进行了整合，引入高带宽闪存 HBF，其中的 NAND 像 DRAM 一样可以3D堆叠。

4：HBM8

而 2040 年的 HBM8，能将整个 HBM 放在 GPU 的顶部，从而能够整合更多的 HBM。

 

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参考文献链接

参考：https://tera.kaist.ac.kr/home

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