2.3 PN结

2.3 PN结

少子的浓度取决于温度；多子取决于掺杂浓度

空间电荷区的左侧P区带负电，右侧带正电，因此，在两者之间产生了一个电位差U_D，称为电位壁垒

电位壁垒与材料有关，硅材料约为（0.6_{0.8)V，锗材料约为（0.2}0.3）V

2.3.2 单向导电性

外加电压，才有这个性质

1. 正向电压(正偏)
   P区接+，N区接—
   低阻

   正偏时，电流随电压而变化：刚开始没有电流，比内电场小；随着电压的增大，开始出现电流；电压继续增大，电流增大很快，比电压的增加还快，不呈现线性关系

2. 反向电压(反偏)
   P区接—，N区接+
   高阻

在一定温度下，当外加的反向电流超过一定值（大约零点几伏）后，反向电流将不在随着反向电压增大，所以又称为反向饱和电流

PN结正向偏置是，产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；PN结反向偏置时，回路中产生的电流较小，几乎等于零，PN结处于截止状态。可见，PN结具有单向导电性。

2.3.3 PN结的电容效应

高频时起作用，低频、中频时忽略不计

PN结的结电容为势垒电容和扩散电容之和

结电容一般较小，通常为几皮法至几百皮法