计算机组成原理——存储器系统考研题

(2009)

15.某计算机主存容量为 64KB,其中 ROM 区为 4KB,其余为 RAM 区,按字节编址。现用 2K×8 位的 ROM 芯片和 4K×4 位的 RAM 芯片来设计该存储器,则需要上述规格的 ROM芯片数和 RAM 芯片数分别是
A.1、15        B.2、15   
C.1、30        D.2、30
答案:D
考点:存储器芯片的组成
首先确定ROM的个数,ROM区为4KB,选用2K×8位的ROM芯片,需要片,采用字扩展方式;RAM区为60KB,选用4K×4位的RAM芯片,需要片,采用字和位同时扩展方式。

(2010)

15.假定用若干个2K x 4位芯片组成一个8K x 8为存储器,则0B1FH所在芯片的最小地址是(  )
A.0000H              B.0600H
C.0700H              D.0800H

答案:D
考点:主存储器扩展的地址分配

2K x 4位芯片组成一个8K x 8为存储器,需要2K x 4的芯片8片。如果按字节编址,对应一个大小为8K×8位的存储器,需要13位地址,其中高2位(先进行位扩展,再进行字扩展,所以两个芯片位扩展后变为8位,这样的8位芯片组需要4组)为片选地址,低11位为片内地址,而题目给出的地址0B1FH转换为二进制为0 1011 0001 1111,其高3位为010,即片选地址为2。因此,地址0B1FH对应第2片芯片,该芯片的起始地址(最小地址)为

0 1000 0000 0000,即0800H。

 第一组的起始地址:
000 00 0000 0000 001 11 1111 1111
第二组的起始地址: 010 00 0000 0000 011 11 1111 1111
第三组的起始地址
100 00 0000 0000 101 11 1111 1111
第四组的起始地址
110 00 0000 0000 111 11 1111 1111

 

16.下列有关RAM和ROM得叙述中正确的是( )
I RAM是易失性存储器,ROM是非易失性存储器
II RAM和ROM都是采用随机存取方式进行信息访问
III RAM和ROM都可用做Cache
IV RAM和ROM都需要进行刷新
A. 仅I和II             B. 仅II和III
C. 仅I ,II, III     D. 仅II,III,IV

答案:A
考点: RAM和ROM的区别
RAM是易失性存储器,ROM是非易失性存储器,都是采用随机存取方式进行信息访问,SRAM可以用来做Cache,RAM需要刷新。

 

(2011)

14.下列各类存储器中,不采用随机存取方式的是
A.EPROM       B.CDROM
 C.DRAM       D.SRAM
答案:B
考点:随机存取方式的定义,光盘采用顺序存储

15.某计算机存储器按字节编址,主存地址空间大小为64 MB,现用4M × 8位的RAM芯片组成32 MB的主存储器,则存储器地址寄存器MAR的位数至少是
A.22位   B.23位     C.25位     D.26位

答案:D
考点:主存地址空间和地址寄存器位数关系
64MB的主存地址空间,故而MAR的寻址范围是64M,故而是26位。而实际的主存的空间不能代表MAR的位数。

 

(2012)

16.下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是
A. 信息可读可写,并且读、写速度一样快
B. 存储元由 MOS 管组成,是一种半导体存储器
C. 掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器
D. 采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器

答案:A
解析:闪存的写操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,而读操作不必如此,所以闪存的读速度比写速度快。其他三项均为闪存的特征。

 引申一个问题:通用微机是否可以采用Flash Memory作为主机?

不可以,闪存需要将整片或这个分区擦除后才能写入,而且擦除写入时间又长,不能作为一般微机的主存,但可以作为磁盘的补充设备

 

(2014)

15. 某容量为256M的存储器,由若干4M*8位的DRAM芯片构成,该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是:     
    A  19       B  22     C  30    D  36

答案:A

 

主要这里的说法是该DRMA芯片,所以256M这个信息没有作用。容量为 4M * 8,则需要 22 条地址线、8 条数据线。
DRAM 芯片的地址线,在芯片中,是分时复用的,仅需一半的引脚数,即够用。
 
(2015)
 
17.下列存储器中,在工作期间需要周期性刷新的是。
A.SRAM        B.SDRAM
C.ROM         D.FLASH
答案:B
DRAM的数据以电荷的形式保存在电容中,需要以刷新的方式,不断为电容充放电;而SRAM则以双稳态为存储单元,不需要周期性的刷新。
 
18、某计算机使用4 体交叉编址存储器,假定在存储器总线上出现的主存地址(十进制)序列为 8005,8006,8007,8008,8001,8002,8003,8004,8000,则可能发生访存冲突的地址对是()
A.8004和8008       B.8002和8007
C.8001和8008       D.8000 和8004
 
答案:D
解析:交叉存储器,又称低位交叉编址。
本题中,主存地址模4后对应的体号分别是:1,2,3,4,1,2,3,4,4。地址为8004和8000都是存取的四号储存器,可能导致8004存储还未完成而又存取8000地址,因此可能发生缓存冲突。

 
(2016)
 
16.某存储器容量为64kB,按字节编址。地址4000H~5FFFH为ROM区,其余为RAM区。若采用8K*4位的SRAM芯片进行设计,则需要该芯片的数量是()
A. 7    B. 8    C. 14    D. 16
 
答案:C
解析: ROM地址空间4000H~5FFFH为8K,则RAM容量=64-8=56KB=56K*8,采用字和位同时扩展方式(56K*8)/(8K*4)=14


 存储器设计  

前三位是片选地址,从000到010可知,需要三片,但ROM是8位的,RAM也需要8位,所以还要进行位扩展,最后得到需要8K * 4的芯片6片。

 

 
例题解析--存储器扩展2

 

通过对ROM和RAM的地址分析,我们会发现一个问题,二者由于基本芯片的容量不同导致了需要的片选地址不同,该如何解决?下面给出两个方案。

 

方案一:
以内部地址少为主,地址译码方案:
Y0和Y1选ROM
Y4选RAM1,Y5选RAM2

方案二:
以内部地址多为主,地址译码方案:
用A15和A14作译码器输入
Y0选ROM;Y2选RAM1和RAM2
当A13=0时选RAM1,当A13=1时选RAM2

 

posted @ 2019-06-23 14:38  王陸  阅读(15275)  评论(2编辑  收藏  举报