MX35LF1GE4AB-Z4I-MXIC(旺宏电子)SPI NAND FLASH说明书、参数、价格

MXIC(旺宏电子)MX35LF1GE4AB-Z4I 3V Serial NAND Flash芯片芯片介绍：

3V, 1Gb/2G-bit Serial NAND Flash Memory MX35LFxGE4AB

1. 特性

1Gb/2Gb SLC NAND 闪存

总线位宽：×4

页面大小：(2048+64) 字节

块大小：(128K+4K) 字节

快速读取访问

支持 ×1、×2、×4 模式随机数据读取（1-1-1、1-1-2、1-1-4）（注 2）

存储阵列到寄存器的延迟：25μs（注 1）

工作频率：104MHz

页面编程操作

页面编程时间：典型值 300μs（注 1）

块擦除操作

块擦除时间：典型值 1ms

单电压供电：

电源电压 VCC：2.7～3.6V

用于块组保护的 BP 位

低功耗特性

工作（读 / 编程 / 擦除）电流：最大 30mA

休眠模式

待机电流：最大 50μA

高可靠性

编程 / 擦除寿命：典型 10 万次周期

（每 (512+16) 字节内置 4 位 ECC 纠错）

数据保存时间：10 年

宽工作温度范围

-40°C ～ +85°C

封装形式：

Z4:8-WSON(8x6mm,E.P= 3.4x4.3mm)

M: 16-SOP (300mil)

所有封装器件均符合 RoHS 标准且无卤素。

MX35LF1GE4AB-Z4I 3V Serial NAND Flash芯片概述

MX35LF1GE4AB-Z4I是一款采用串行接口的 1Gb/2Gb SLC NAND 闪存器件。该器件的存储阵列采用与并行 NAND 闪存相同的单元架构，同时兼容业界标准的串行接口。

芯片内置4 位 ECC 纠错逻辑，且默认开启。该内部 ECC 功能可通过指令进行关闭或重新开启。当内部 4 位 ECC 逻辑被关闭时，需由主机端微控制器自行处理 4 位 ECC 纠错。

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