weedy

摘要： Deep NWell 由于PMOS和NMOS共同做在一个基底上，因此必须要进行隔离。隔离的方式就是NMOS上会再铺设一层DNW。 原理： N-well与P型衬底（P-sub）形成 PN结，当N-well接电源电压（VDD）、P-sub接地（GND）时，PN结处于反向偏置状态。反向偏置会在结区形成耗尽 阅读全文