模拟电子技术--晶体管的特性曲线总结(更新中)

搭建如下的晶体管特性曲线测试电路得到下面两个特性曲线：

解释：
二、(\(U_{BE}\))、(\(I_B\))、($U_{CE}$) 关系的物理解释

1. 输入特性曲线：(\(I_B = f(U_{BE})|_{U_{CE}=常数}\))

• 非线性本质：
  发射结正向偏置时，(\(U_{BE}\)) 需克服内建电场才能使电子从发射区扩散至基区。当 (\(U_{BE} < U_{th}\))（阈值电压）时，内建电场未被显著削弱，电子扩散极少，(\(I_B \approx 0\))；当 (\(U_{BE} > U_{th}\)) 后，电子扩散指数级增加，(\(I_B\)) 迅速上升。

• (\(U_{CE}\)) 的影响：

  • 当 (\(U_{CE}=0\)) 时，集电结无反偏电场，电子在基区的复合概率高，(\(I_{BN}\)) 大，相同 (\(U_{BE}\)) 下 (\(I_B\)) 更大，曲线左移。
  • 当 (\(U_{CE} \geq 1V\)) 时，集电结反偏电场足够强，大部分电子被集电极收集，基区复合减少，(\(I_{BN}\)) 下降，相同 (\(U_{BE}\)) 下 (\(I_B\)) 减小，曲线右移。